ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
該器件采用窄 VDC 架構(gòu) (NVDC),BATFET 可將系統(tǒng)與電池分離。最小系統(tǒng)電壓由 REG0x3E() 設(shè)置。即使電池電量深度耗盡,也可通過 BATFET 將系統(tǒng)調(diào)節(jié)至高于最小系統(tǒng)電壓。
當(dāng)電池電壓低于最小系統(tǒng)電壓設(shè)置時,BATFET 以線性模式(LDO 模式)運行,并且系統(tǒng)調(diào)節(jié)至高于最小系統(tǒng)電壓設(shè)置。當(dāng)電池電壓升至高于最小系統(tǒng)電壓時,BATFET 在充電或補充模式下完全導(dǎo)通,系統(tǒng)和電池之間的電壓差為 BATFET 的 VDS。BATFET 關(guān)斷(無充電或無補充電流)時,系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)為高于電池電壓 160mV。
移除 BATFET 后,系統(tǒng)節(jié)點 VSYS 將被短接至 SRP。在轉(zhuǎn)換器開始運行之前,需要禁用 LDO 模式。要在沒有 BATFET 的情況下配置充電器,需要按順序執(zhí)行以下操作。
為了防止任何意外的軟件錯誤,主機會在器件退出高阻態(tài)模式時設(shè)置低輸入電流限制(幾百毫安)。