ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
對(duì)于防止電場和磁場輻射以及高頻諧振問題，采用合適的元件布局來盡可能簡化高頻電流路徑環(huán)路（參閱節(jié) 12.2）非常重要。以下是正確布局的 PCB 布局優(yōu)先級(jí)列表。
| 規(guī)則 | 元件 | 功能 | 影響 | 指南 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | PCB 層堆疊 | 熱性能、效率、信號(hào)完整性 | 建議使用多層 PCB。至少分配一個(gè)接地層。BQ257XXEVM 使用 4 層 PCB（頂層、接地層、信號(hào)層和底層）。 | |
| 2 | CBUS、RAC、Q1、Q2 | 輸入環(huán)路 | 高頻噪聲，紋波 | VBUS 電容器、RAC、Q1 和 Q2 構(gòu)成一個(gè)小環(huán)路 1。最好將它們放在同一側(cè)。用大面積的銅連接它們以減少寄生電阻。將部分 CBUS 移到 PCB 的另一側(cè)，以實(shí)現(xiàn)高密度設(shè)計(jì)。在 Q1 和 Q2 功率級(jí)之前的 RAC 之后，建議將 10nF + 1nF（0402 封裝）去耦電容器盡可能靠近 IC 放置，以便對(duì)開關(guān)環(huán)路高頻噪聲進(jìn)行去耦。 |
| 3 | RAC、Q1、L1、Q4 | 電流路徑 | 效率 | 從 VBUS 到 VSYS 通過 RAC、Q1、L1、Q4 的電流路徑具有低阻抗。請(qǐng)留意過孔電阻是否不在同一側(cè)。對(duì)于 1oz 銅厚度的 10mil 過孔，過孔數(shù)量可估算為 1A 至 2A/過孔。 |
| 4 | CSYS、Q3、Q4 | 輸出環(huán)路 | 高頻噪聲，紋波 | VSYS 電容器 Q3 和 Q4 構(gòu)成一個(gè)小環(huán)路 2。最好將它們放在同一側(cè)。用大面積的銅連接它們以減少寄生電阻。將部分 CSYS 移到 PCB 的另一側(cè)，以實(shí)現(xiàn)高密度設(shè)計(jì)。 |
| 5 | QBAT、RSR | 電流路徑 | 效率、電池電壓檢測 | 將 QBAT 和 RSR 放置在電池端子附近。從 VBAT 到 VSYS 通過 RSR 和 QBAT 的電流路徑具有低阻抗。請(qǐng)留意過孔電阻是否不在同一側(cè)。該器件通過電池端子附近的 SRN 檢測電池電壓。 |
| 6 | Q1、Q2、L1、Q3、Q4 | 功率級(jí) | 熱性能、效率 | 將 Q1、Q2、L1、Q3 和 Q4 彼此相鄰放置。留出足夠的銅面積來散熱。建議銅面積為焊盤尺寸的 2 到 4 倍。多個(gè)散熱過孔可用于將更多銅層連接在一起并散發(fā)更多熱量。 |
| 7 | RAC、RSR | 電流檢測 | 調(diào)節(jié)精度 | 對(duì) RAC 和 RSR 電流檢測電阻使用開爾文檢測技術(shù)。將電流檢測走線連接到焊盤的中心，并將電流檢測走線用作差分對(duì)。 |
| 8 | 小電容 | IC 旁路電容器 | 噪聲、抖動(dòng)、紋波 | 將 VBUS 電容、VCC 電容、REGN 電容靠近 IC 放置。 |
| 9 | BST 電容器 | HS 柵極驅(qū)動(dòng) | 高頻噪聲，紋波 | 將 HS MOSFET 升壓自舉電路電容器放置在靠近 IC 的位置并位于 PCB 板的同一側(cè)。建議電容器 SW1/2 節(jié)點(diǎn)使用寬銅多邊形連接到功率級(jí)，建議電容器 BST1/2 節(jié)點(diǎn)使用至少 8mil 的跡線連接到 IC BST1/2 引腳。 |
| 10 | 接地分區(qū) | 測量精度、調(diào)節(jié)精度、抖動(dòng)、紋波 | 優(yōu)先選擇單獨(dú)的模擬接地 (AGND) 和電源接地 (PGND)。PGND 應(yīng)用于所有功率級(jí)相關(guān)的接地網(wǎng)。AGND 應(yīng)用于所有檢測、補(bǔ)償和控制網(wǎng)絡(luò)接地，例如 ACP/ACN/COMP1/COMP2/CMPIN/CMPOUT/IADPT/IBAT/PSYS。將所有模擬接地端連接到專用的低阻抗覆銅平面，該覆銅平面連接到 IC 外露焊盤下方的電源接地端。如果可能，請(qǐng)使用專用的 COMP1、COMP2 AGND 布線。使用電源板作為單一接地連接點(diǎn)，將模擬接地和電源接地連接在一起。 |