ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
該器件采用窄 VDC 架構(gòu) (NVDC)，BATFET 可將系統(tǒng)與電池分離。最小系統(tǒng)電壓由 REG0x3E() 設(shè)置。即使電池電量深度耗盡，也可通過(guò) BATFET 將系統(tǒng)調(diào)節(jié)至高于最小系統(tǒng)電壓。
當(dāng)電池電壓低于最小系統(tǒng)電壓設(shè)置時(shí)，BATFET 以線性模式（LDO 模式）運(yùn)行，并且系統(tǒng)調(diào)節(jié)至高于最小系統(tǒng)電壓設(shè)置。當(dāng)電池電壓升至高于最小系統(tǒng)電壓時(shí)，BATFET 在充電或補(bǔ)充模式下完全導(dǎo)通，系統(tǒng)和電池之間的電壓差為 BATFET 的 VDS。BATFET 關(guān)斷（無(wú)充電或無(wú)補(bǔ)充電流）時(shí)，系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)為高于電池電壓 160mV。
移除 BATFET 后，系統(tǒng)節(jié)點(diǎn) VSYS 將被短接至 SRP。在轉(zhuǎn)換器開(kāi)始運(yùn)行之前，需要禁用 LDO 模式。要在沒(méi)有 BATFET 的情況下配置充電器，需要按順序執(zhí)行以下操作。
為了防止任何意外的軟件錯(cuò)誤，主機(jī)會(huì)在器件退出高阻態(tài)模式時(shí)設(shè)置低輸入電流限制（幾百毫安）。