ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
EN_HIZ | RESET_REG | RESET_ VINDPM | EN_OTG | EN_ICO MODE | 保留 | ||
讀/寫 | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | ||
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
保留 | EN_CONS VAP | OTG_VAP _MODE | IL_AVG | OTG_RANGE _LOW | BATFETOFF_ HIZ | PSYS_OTG_ IDCHG | |
R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W |
說明:R/W = 讀/寫;R = 只讀;-n = 復(fù)位后的值 |
SMBus 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
---|---|---|---|---|
15 | EN_HIZ | R/W | 0b | 器件高阻態(tài)模式啟用 當(dāng)充電器處于高阻態(tài)模式時,器件消耗的靜態(tài)電流最小。且 VBUS 高于 UVLO。REGN LDO 保持開啟狀態(tài),系統(tǒng)由電池供電。 0b:器件未處于高阻態(tài)模式 <POR 時的默認(rèn)值> 1b:器件處于高阻態(tài)模式 |
14 | RESET_REG | R/W | 0b | 復(fù)位寄存器 除 VINDPM 外,所有寄存器都恢復(fù)為默認(rèn)設(shè)置 非常重要。0b:空閑 <POR 時的默認(rèn)值> 1b:將所有寄存器復(fù)位為默認(rèn)值。復(fù)位后,該位返回到 0。 |
13 | RESET_VINDPM | R/W | 0b | 復(fù)位 VINDPM 閾值 0b:空閑 1b:禁用轉(zhuǎn)換器以測量 VINDPM 閾值。完成 VINDPM 測量后,該位返回到 0,轉(zhuǎn)換器啟動。 |
12 | EN_OTG | R/W | 0b | OTG 模式啟用 當(dāng) EN_OTG 引腳為高電平時,在 OTG 模式下啟用器件。 0b:禁用 OTG <POR 時的默認(rèn)值> 1b:啟用 OTG 模式,以從電池為 VBUS 供電。 |
11 | EN_ICO_MODE | R/W | 0b | 啟用 ICO 算法 0b:禁用 ICO 算法。<POR 時的默認(rèn)值> 1b:啟用 ICO 算法。 |
10-8 | 保留 | 讀/寫 | 000b | 保留 |
SMBus 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
---|---|---|---|---|
7 | 保留 | R/W | 0b | 保留 |
6 | EN_CON_VAP | R/W | 0b | 啟用保守 VAP 模式。 0b:已禁用 <POR 時的默認(rèn)值> 1b:被啟用 |
5 | OTG_VAP_MODE | R/W | 1b | 外部 OTG/VAP 引腳控制的選擇。 0b:外部 OTG/VAP 引腳控制 EN/DIS VAP 模式 1b:外部 OTG/VAP 引腳控制 EN/DIS OTG 模式 <POR 時的默認(rèn)值> |
4-3 | IL_AVG | 讀/寫 | 10b | 4 級電感器平均電流鉗位。 00b:6A 01b:10A 10b:15A <POR 時的默認(rèn)值> 11b:被禁用 |
2 | OTG_RANGE_LOW | R/W | 0b | 選擇不同的 OTG 輸出電壓范圍。 0b:VOTG 高范圍 4.28V - 20.8V <POR 時的默認(rèn)值> 1b:VOTG 低范圍 3V - 19.52V |
1 | BATFETOFF_ HIZ | R/W | 0b | 在高阻態(tài)模式期間控制 BATFET。 0b:BATFET 在高阻態(tài)模式期間開啟 <POR 時的默認(rèn)值> 1b:BATFET 在高阻態(tài)模式期間關(guān)閉 |
0 | PSYS_OTG_ IDCHG | R/W | 0b | OTG 模式期間的 PSYS 功能。 0b:PSYS 作為電池放電功率減去 OTG 輸出功率 <POR 時的默認(rèn)值> 1b:PSYS 僅用作電池放電電源 |