ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
要設(shè)置充電電流,請使用圖 9-15、表 9-25 和表 9-26 中列出的數(shù)據(jù)格式編寫一個 16 位的 ChargeCurrent() 命令 (REG0x14h())。
該充電器具有 10mΩ 檢測電阻,可提供 64mA 至 8.128A 的充電電流范圍,步進(jìn)分辨率為 64mA。POR 后,ChargeCurrent() 為 0A。導(dǎo)致 CHRG_OK 為低電平的任何條件(ACOV 除外)都會將 ChargeCurrent() 復(fù)位為零。CELL_BATPRESZ 變?yōu)榈碗娖剑ㄒ瞥姵兀?ChargeCurrent() 寄存器復(fù)位為 0A。
在 ACOC、TSHUT、電源路徑閉鎖 (REG0x30[1]) 和 SYSOVP 中,充電電流不會復(fù)位。
建議在 SRP 和 SRN 之間使用一個 0.1μF 的電容器進(jìn)行差模濾波;在 SRN 和接地之間使用一個可選的 0.1μF 電容器,并在 SRP 和接地之間使用一個可選的 0.1μF 電容器,來進(jìn)行共模濾波。同時,SRP 上的電容不應(yīng)高于 0.1μF,以便正確檢測 SRP 和 SRN 兩端的電壓,來實(shí)現(xiàn)逐周期電流檢測。
SRP 和 SRN 引腳用于檢測 RSR(默認(rèn)值為 10mΩ)兩端的壓降。但是,也可以使用其他值的電阻。對于更大的檢測電阻,會提供更大的檢測電壓和更高的調(diào)節(jié)精度;但會以更高的導(dǎo)通損耗為代價。建議電流檢測電阻值不超過 20mΩ。
15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
保留 | 充電電流,位 6 | 充電電流,位 5 | 充電電流,位 4 | 充電電流,位 3 | 充電電流,位 2 | ||
R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | ||
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
充電電流,位 1 | 充電電流,位 0 | 保留 | 保留 | ||||
讀/寫 | R/W | R/W | R/W |
說明:R/W = 讀/寫;R = 只讀;-n = 復(fù)位后的值 |
SMBus 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
---|---|---|---|---|
15-13 | 保留 | 讀/寫 | 000b | 未使用。1 = 無效寫入。 |
12 | 充電電流,位 6 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充電器電流。 1 = 增加 4096mA 的充電器電流。 |
11 | 充電電流,位 5 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充電器電流。 1 = 增加 2048mA 的充電器電流。 |
10 | 充電電流,位 4 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充電器電流。 1 = 增加 1024mA 的充電器電流。 |
9 | 充電電流,位 3 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充電器電流。 1 = 增加 512mA 的充電器電流。 |
8 | 充電電流,位 2 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充電器電流。 1 = 增加 256mA 的充電器電流。 |
SMBus 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
---|---|---|---|---|
7 | 充電電流,位 1 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充電器電流。 1 = 增加 128mA 的充電器電流。 |
6 | 充電電流,位 0 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充電器電流。 1 = 增加 64mA 的充電器電流。 |
5-0 | 保留 | R/W | 000000b | 未使用。忽略值。 |