ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細(xì)說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能模塊圖
- 9.3 特性說明
- 9.4 器件功能模式
- 9.5 編程
- 9.6
寄存器映射
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項(xiàng)
- 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（SMBus 地址 = 12h）[復(fù)位 = E70Eh]
- 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（SMBus 地址 = 30h）[復(fù)位 = 0211h]
- 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（SMBus 地址 = 31h）[復(fù)位 = 02B7h]
- 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（SMBus 地址 = 32h）[復(fù)位 = 0030h]
- 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（SMBus 地址 = 33h）[復(fù)位 = 4A65h]
- 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（SMBus 地址 = 34h）[復(fù)位 = 81A0h]
- 9.6.1.7 ADCOption 寄存器（SMBus 地址 = 35h）[復(fù)位 = 2000h]
- 9.6.2 充電和 PROCHOT 狀態(tài)
- 9.6.3 ChargeCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 14h）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.4 MaxChargeVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 15h）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置的復(fù)位值]
- 9.6.5 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置復(fù)位值]
- 9.6.6 用于動(dòng)態(tài)電源管理的輸入電流和輸入電壓寄存器
- 9.6.7 OTGVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Bh）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.8 OTGCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 3Ch）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.9 ADCVBUS/PSYS 寄存器（SMBus 地址 = 23h）
- 9.6.10 ADCIBAT 寄存器（SMBus 地址 = 24h）
- 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（SMBus 地址 = 25h）
- 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（SMBus 地址 = 26h）
- 9.6.13 ID 寄存器
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項(xiàng)
- 10應(yīng)用和實(shí)施
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
訂購(gòu)信息
10.2.2.3 輸入電容器
輸入電容器應(yīng)具有足夠的額定紋波電流以吸收輸入開關(guān)紋波電流。在降壓模式下，當(dāng)占空比為 0.5 時(shí)，最壞情況下的 RMS 紋波電流是充電電流的一半（加上有任何系統(tǒng)負(fù)載時(shí)的系統(tǒng)電流）。如果轉(zhuǎn)換器不以 50% 的占空比運(yùn)行，則最壞情況下的電容器 RMS 電流發(fā)生在占空比最接近 50% 的位置，可通過方程式 5 估算得出：
X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷電容是輸入去耦電容的首選，應(yīng)放置在 RAC 電流檢測(cè)的前面，并盡可能靠近功率級(jí)半橋 MOSFET。功率級(jí)半橋之前 RAC 后的電容應(yīng)限制為 10nF + 1nF，請(qǐng)參見圖 10-2。這是因?yàn)椋绻?RAC 后的電容過大，可能會(huì)濾除 RAC 電流檢測(cè)紋波信息。電容器的額定電壓必須高于正常輸入電壓電平，19V 至 20V 輸入電壓下最好使用 25V 額定電壓或更高的電容器。表 10-1 給出了最小輸入有效電容建議。
陶瓷電容器 (MLCC) 顯示了直流偏置效應(yīng)。在陶瓷電容器上施加直流偏置電壓時(shí)，這種效應(yīng)可減小有效電容，就像是在充電器的輸入電容器上一樣。這種影響可能會(huì)導(dǎo)致顯著的電容壓降，尤其是對(duì)于高輸入電壓和小型電容器封裝。請(qǐng)參閱制造商的數(shù)據(jù)表，了解施加直流偏置電壓時(shí)的降額性能。為了在運(yùn)行點(diǎn)獲得所需的有效電容值，也許有必要選擇一個(gè)更高的額定電壓或者標(biāo)稱電容值。考慮到 25V 0603 封裝 MLCC 電容在 19V 至 20V 輸入電壓下降額，建議的實(shí)際電容配置也可在表 10-1 中找到。鉭電容器 (POSCAP) 可避免直流偏置效應(yīng)和溫度變化影響，推薦用于功率更高的 90W 至 130W 應(yīng)用。
| 輸入電容器與總輸入功率的關(guān)系 | 65W | 90W | 130W |
|---|---|---|---|
| 最低有效輸入電容 | 4μF | 6μF | 13μF |
| 最小實(shí)際輸入電容器配置 | 4 個(gè) 10μF (0603 25V MLCC) | 6 個(gè) 10μF (0603 25V MLCC) | 3 個(gè) 10μF (0603 25V MLCC) 1 個(gè) 10μF（25V 至 35V POSCAP） |