ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
| 15-11 | 10-9 | 8 | |||||
| ILIM2_VTH | ICRIT_DEG | PROCHOT_ VDPM_80_90 | |||||
| R/W | R/W | R/W | |||||
| 7-4 | 3-2 | 1 | 0 | ||||
| VSYS_TH1 | VSYS_TH2 | INOM_DEG | LOWER_ PROCHOT _VDPM | ||||
| R/W | R/W | R/W | R/W | ||||
| 說明：R/W = 讀/寫；R = 只讀；-n = 復(fù)位后的值 |
| SMBus 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-11 | ILIM2_VTH | R/W | 01001b | ILIM2 閾值 5 位，0x3FH 中 IDPM 的百分比。測(cè)量 ACP 和 ACN 之間的電流。 當(dāng)電流高于此閾值時(shí)觸發(fā)： 00001b - 11001b：110% - 230%，階躍 5% 11010b - 11110b：250% - 450%，階躍 50% 11111b：超出范圍（忽略） 默認(rèn)為 150%，或 01001 |
| 10-9 | ICRIT_DEG | 讀/寫 | 01b | ICRIT 抗尖峰脈沖時(shí)間 ICRIT 閾值設(shè)置為 ILIM2 的 110%。 觸發(fā) PROCHOT 的典型 ICRIT 抗尖峰脈沖時(shí)間。 00b：15μs 01b：120μs <POR 時(shí)的默認(rèn)值> 10b：500μs 11b：1ms |
| 8 | PROCHOT_ VDPM_80_90 | R/W | 0b | PROCHOT_VDPM 比較器的閾值下限 當(dāng) REG0x33[0]=1 時(shí)，PROCHOT_VDPM 比較器的閾值由該位設(shè)置決定。 0b：VinDPM 閾值的 80% <POR 時(shí)的默認(rèn)值>。 1b：VinDPM 閾值的 90% |
| SMBus 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-4 | VSYS_TH1 | R/W | 0110b | VAP 模式下用于觸發(fā) VBUS 放電的 VSYS 閾值。 使用固定的 5μs 抗尖峰脈沖時(shí)間測(cè)量 VSYS。當(dāng) SYS 引腳電壓低于閾值時(shí)觸發(fā)。 2-4 節(jié)電池 0000b - 1111b：5.9V 至 7.4V，步長為 0.1V。 1 節(jié)電池 0000b - 0111b：3.1V 至 3.8V，步長為 0.1V。 1000b - 1111b：3.1V 至 3.8V，步長為 0.1V。 |
| 3-2 | VSYS_TH2 | 讀/寫 | 01b | 用于將 /PROCHOT_VSYS 置為有效的 VSYS 閾值。 使用固定的 5μs 抗尖峰脈沖時(shí)間測(cè)量 VSYS。當(dāng) SYS 引腳電壓低于閾值時(shí)觸發(fā)。 2-4 節(jié)電池 00b：5.9V；01b：6.2V <POR 時(shí)的默認(rèn)值>； 10b：6.5V；11b：6.8V。 1 節(jié)電池 00b：3.1V；01b：3.3V <POR 時(shí)的默認(rèn)值>； 10b：3.5V；11b：3.7V。 |
| 1 | INOM_DEG | R/W | 0b | INOM 抗尖峰脈沖時(shí)間 在 0x3FH 中，INOM 始終比 IDPM 高 10%。測(cè)量 ACP 和 ACN 之間的電流。 當(dāng)電流高于此閾值時(shí)觸發(fā)。 0b：1ms <POR 時(shí)的默認(rèn)值> 1b：50ms |
| 0 | LOWER_ PROCHOT _VDPM | R/W | 0b | 啟用 PROCHOT_VDPM 比較器的閾值下限 0b：PROCHOT_VDPM 比較器的閾值遵循相同的 VinDPM REG0x3D() 設(shè)置。 1b：PROCHOT_VDPM 比較器的閾值較低，由 REG0x33[8] 設(shè)置確定。<POR 時(shí)的默認(rèn)值> |