ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能模塊圖
- 9.3 特性說明
- 9.4 器件功能模式
- 9.5 編程
- 9.6
寄存器映射
- 9.6.1
設置充電和 PROCHOT 選項
- 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（SMBus 地址 = 12h）[復位 = E70Eh]
- 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（SMBus 地址 = 30h）[復位 = 0211h]
- 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（SMBus 地址 = 31h）[復位 = 02B7h]
- 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（SMBus 地址 = 32h）[復位 = 0030h]
- 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（SMBus 地址 = 33h）[復位 = 4A65h]
- 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（SMBus 地址 = 34h）[復位 = 81A0h]
- 9.6.1.7 ADCOption 寄存器（SMBus 地址 = 35h）[復位 = 2000h]
- 9.6.2 充電和 PROCHOT 狀態(tài)
- 9.6.3 ChargeCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 14h）[復位 = 0000h]
- 9.6.4 MaxChargeVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 15h）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設置的復位值]
- 9.6.5 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設置復位值]
- 9.6.6 用于動態(tài)電源管理的輸入電流和輸入電壓寄存器
- 9.6.7 OTGVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Bh）[復位 = 0000h]
- 9.6.8 OTGCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 3Ch）[復位 = 0000h]
- 9.6.9 ADCVBUS/PSYS 寄存器（SMBus 地址 = 23h）
- 9.6.10 ADCIBAT 寄存器（SMBus 地址 = 24h）
- 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（SMBus 地址 = 25h）
- 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（SMBus 地址 = 26h）
- 9.6.13 ID 寄存器
- 9.6.1
設置充電和 PROCHOT 選項
- 10應用和實施
- 11電源相關建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
訂購信息
9.3.8 兩級適配器電流限制（峰值功率模式）
通常，適配器可在幾毫秒至幾十毫秒內(nèi)提供高于直流額定值的電流。該充電器采用兩級輸入電流限制或峰值功率模式，以充分利用過載能力，并在 CPU 渦輪模式期間盡可能地減少電池放電。在 REG0x31[13:12] 中啟用峰值功率模式。直流電流限制 (ILIM1) 與 REG0x3F() 中設置的適配器直流電流相同。過載電流 (ILIM2) 在 REG0x33[15:11] 中設置為 ILIM1 的百分比。
當充電器檢測到負載瞬態(tài)導致的輸入電流浪涌和電池放電（適配器和電池一起支持系統(tǒng)）時，或者當充電器檢測到負載瞬態(tài)導致系統(tǒng)電壓開始下降（只有適配器支持系統(tǒng)）時，充電器將首先在 REG0x31[15:14] 中為 TOVLD 施加 ILIM2，然后在長達 TMAX – TOVLD 的時間內(nèi)施加 ILIM1。在 REG0x31[9:8] 中對 TMAX 進行編程。在 TMAX 之后，如果負載仍處于高電平，則開始另一個峰值下電上電。在 TMAX 期間禁用充電；一旦 TMAX 到期，便繼續(xù)充電。如果 TOVLD 編程為等于 TMAX，則峰值功率模式始終開啟。
圖 9-1 兩級適配器電流限制時序圖