ZHCSUO9 February 2024 DRV8262-Q1
PRODUCTION DATA
在單路 H 橋模式下，每個(gè) FET 的導(dǎo)通電阻在 25°C 時(shí)通常為 25mΩ，在 150°C 時(shí)為 43mΩ。
在功率損耗公式中替換以下值 -
VM = 24 V
IL = 8 A
RDS(ON) = 25mΩ
D = 0.5
VD = 1V
tD = 300ns
tRF = 110ns
fPWM = 20kHz
每個(gè) FET 中的損耗可按以下公式計(jì)算：
PHS1 = 25mΩ × 82 = 1.6W
PLS1 = 0
PHS2 = [25mΩ × 82 x (1-0.5)] + [2 x 1V x 8A x 300ns x 20KHz] = 0.896W
PLS2 = [25mΩ × 82 x 0.5] + [24 x 8A x 110ns x 20kHz] = 1.223W
靜態(tài)電流損耗 PQ = 24V × 5 mA = 0.12W
PTOT = PHS1 + PLS1 + PHS2 + PLS2 + PQ = 1.6 + 0 + 0.896 + 1.223 + 0.12 = 3.84W