ZHCSUO9 February 2024 DRV8262-Q1
PRODUCTION DATA
如果已知環(huán)境溫度 TA 和總功率損耗 (PTOT)，則結(jié)溫 (TJ) 的計算公式為：
TJ = TA + (PTOT x RθJA)
在一個符合 JEDEC 標準的 4 層 PCB 中，的結(jié)至環(huán)境熱阻 (RθJA) 為 22.2°C/W。
假設環(huán)境溫度為 25°C，則結(jié)溫計算方式如下 -
如需更準確地計算該值，請考慮典型工作特性部分所示的器件結(jié)溫對 FET 導通電阻的影響。
例如，
在 110.2 °C 結(jié)溫下，與 25°C 時的導通電阻相比，導通電阻可能會增加 1.4 倍。
導通損耗的初始估算值為 3.2W。
因此，導通損耗的新估算值為 3.2W × 1.4 = 4.48W。
因此，總功率損耗的新估算值為 5.12W。
采用 DDW 封裝時的結(jié)溫新估算值為 138.7 °C。
如進行進一步的迭代，則不太可能顯著增加結(jié)溫估算值。