ZHCSUO9 February 2024 DRV8262-Q1
PRODUCTION DATA
每個 MOSFET 上的模擬電流限制電路通過移除柵極驅(qū)動來限制通過 MOSFET 的電流。如果該電流限制的持續(xù)時間超過 tOCP，則會檢測到過流故障。
將禁用 H 橋。對于雙路 H 橋模式，將僅禁用發(fā)生過流的 H 橋。
nFAULT 被驅(qū)動為低電平
電荷泵保持有效狀態(tài)
高側(cè)和低側(cè) MOSFET 上的過流情況；這意味著接地短路或電源短路將導(dǎo)致過流故障檢測。
消除過流條件后，恢復(fù)機制取決于 OCPM 引腳設(shè)置。OCPM 引腳對閉鎖或自動重試型恢復(fù)進(jìn)行編程。當(dāng) OCPM 引腳為邏輯低電平時，該器件具有閉鎖型恢復(fù)功能，這意味著消除 OCP 條件后，器件會在施加 nSLEEP 復(fù)位脈沖或下電上電后恢復(fù)正常運行。
當(dāng) OCPM 引腳為邏輯高電平時，經(jīng)過 tRETRY 時間且故障條件消失后，器件將自動恢復(fù)正常運行（驅(qū)動器運行且釋放 nFAULT 引腳）。