ZHCSUO9 February 2024 DRV8262-Q1
PRODUCTION DATA
對于具有高側(cè)再循環(huán)功能的 H 橋，每個 FET 的功率損耗近似值計算如下：
PHS1 = RDS(ON) × IL2
PLS1 = 0
PHS2 = [RDS(ON) × IL2 × (1 – D)] + [2 × VD × IL × tD × fPWM]
PLS2 = [RDS(ON) × IL2 × D] + [VM × IL × tRF × fPWM]
其中，
對于雙路 H 橋模式下的 DRV8262-Q1，25°C 時該電阻通常為 50mΩ，150°C 時為 85mΩ。
tRF = 輸出電壓上升/下降時間
對于 DRV8262-Q1，上升/下降時間為 110ns
對于 DRV8262-Q1，該值為 1V
對于 DRV8262-Q1，該值為 300ns
在上面的公式中替換以下值：
VM = 24 V
IL = 4A
RDS(ON) = 50mΩ
D = 0.5
VD = 1V
tD = 300ns
tRF = 110ns
fPWM = 20kHz
每個 FET 中的損耗可按以下公式計算：
PHS1 = 50mΩ × 42 = 0.8W
PLS1 = 0
PHS2 = [50mΩ × 42 × (1 – 0.5)] + [2 × 1V × 4A × 300ns × 20kHz] = 0.448W
PLS2 = [50mΩ × 42 × 0.5] + [24 × 4A × 110ns × 20kHz] = 0.611W
靜態(tài)電流損耗 PQ = 24V × 5 mA = 0.12W
PTOT = 2 × (PHS1 + PLS1 + PHS2 + PLS2) + PQ = 2 × (0.8 + 0 + 0.448 + 0.611) + 0.12 = 3.84W