ZHCSUO9 February 2024 DRV8262-Q1
PRODUCTION DATA
應使用推薦電容為 0.01μF 且額定電壓為 VM 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將 VM 引腳旁路至 PGND 引腳。此類電容器應盡可能靠近 VM 引腳放置，并通過較寬的布線或接地平面與器件 PGND 引腳連接。
應使用額定電壓為 VM 的大容量電容器將 VM 引腳旁路至 PGND。該組件可以是電解電容器。
必須在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。建議使用一個電容值為 0.1μF、額定電壓為 VM 的電容器。將此組件盡可能靠近引腳放置。
必須在 VM 和 VCP 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。建議使用一個電容值為 1μF、額定電壓為 16V 的電容器。將此組件盡可能靠近引腳放置。
使用低 ESR 陶瓷電容器將 DVDD 引腳旁路至接地。建議使用一個電容值為 1μF、額定電壓為 6.3 V 的電容器。將此旁路電容器盡可能靠近引腳放置。
使用低 ESR 陶瓷電容器將 VCC 引腳旁路至接地。建議使用一個電容值為 0.1μF、額定電壓為 6.3 V 的電容器。將此旁路電容器盡可能靠近引腳放置。
通常，必須避免電源引腳和去耦電容器之間的電感。
DDW 封裝的散熱焊盤必須連接至系統(tǒng)地。
建議整個系統(tǒng)/電路板使用一個大的不間斷單一接地平面。接地平面可在 PCB 底層制成。
為了盡可能地減小阻抗和電感，在通過通孔連接至底層接地平面之前，接地引腳的布線應盡可能短且寬。
建議使用多個通孔來降低阻抗。
盡量清理器件周圍的空間（尤其是在 PCB 底層），從而改善散熱。
連接至散熱焊盤的單個或多個內(nèi)部接地平面也有助于散熱并降低熱阻。