ZHCSSE1A September 2024 – December 2024 TPS1214-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|23
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.3.3.1.1 具有自動重試功能的基于 I2t 的過流保護
CI2t 可對過流保護延遲 (tOC_MIN) 進行編程，而 CTMR 可對自動重試時間 (tRETRY) 進行編程。一旦 CS1+ 和 CS1– 之間的電壓超過設定點 (V(OCP))，CI2t 電容器即開始充電，充電電流與 ILOAD2 – IOC2 電流成比例。
在 CI2t 充電至 V(I2t_OC) 后，GATE 將拉低至 SRC，同時關斷主 FET 且 FLT 置為低電平有效。發(fā)布此事件后，自動重試行為將開始。CTMR 開始以 2.5μA 上拉電流充電，直到電壓達到 V(TMR_HIGH) 水平為止。達到此水平之后，電容器開始以 2.5μA 下拉電流放電。
在電壓達到 V(TMR_LOW) 水平后，電容器再次以 2.5μA 上拉電流開始充電。在 CTMR 的 32 個充放電周期之后，F(xiàn)ET 重新開通且 FLT 置為無效。
圖 8-9 具有自動重試功能的基于 I2t 的過流保護自動重試時間可以根據(jù)方程式 13，通過將連接在 TMR 和 GND 引腳之間的 CTMR 電容器進行設置。
方程式 13.
其中
V(TMR_HIGH) 為 1.2V（典型值），V(TMR_LOW) 為 0.2V（典型值）)
I(TMR_SRC) 是 TMR 引腳上的內(nèi)部拉電流，值為 2.5μA（典型值）