當(dāng) EN/UVLO 被驅(qū)動(dòng)為高電平 (> V_(ENR)) 并且同時(shí) LPM 被驅(qū)動(dòng)為低電平的時(shí)間超過 500μs 時(shí)，器件將從關(guān)斷模式轉(zhuǎn)換為低功耗模式。

當(dāng) LPM 被拉至低電平時(shí)，器件也可以從工作模式轉(zhuǎn)換為低功耗模式。從工作模式進(jìn)入低功耗模式時(shí)，可以按照 圖 8-16 所述遵循 LPM 和 INP 信號(hào)時(shí)序控制注意事項(xiàng)。在 LPM 之前將 INP 拉至低電平會(huì)導(dǎo)致主 FET（GATE 驅(qū)動(dòng)器）關(guān)斷，進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致在旁路 FET（G 驅(qū)動(dòng)器）導(dǎo)通之前輸出電壓暫時(shí)下降。在 LPM 被拉至低電平至少 10μs 后將 INP 拉至低電平，可從運(yùn)行模式無縫轉(zhuǎn)換到低功耗模式，而不會(huì)出現(xiàn)任何輸出電壓驟降。

在此模式下，會(huì)啟用電荷泵和 G 柵極驅(qū)動(dòng)器。在此狀態(tài)下，主 FET（GATE 驅(qū)動(dòng)器）關(guān)斷，旁路 FET（G 驅(qū)動(dòng)器）導(dǎo)通，且 WAKE 引腳置為高電平有效。TPS1214-Q1 在低功耗模式下會(huì)消耗低 I_Q，為 20μA（典型值）。

在以下情況下，器件會(huì)從低功耗模式轉(zhuǎn)換為工作模式：

• 外部觸發(fā)器：LPM 從外部被拉至高電平
• 內(nèi)部觸發(fā)器：負(fù)載電流超過負(fù)載喚醒觸發(fā)閾值 (I_LWU)

在負(fù)載電流超過負(fù)載喚醒閾值 (I_LWU) 后，器件首先會(huì)自動(dòng)導(dǎo)通主 FET（GATE 驅(qū)動(dòng)器），旁路 FET（G 驅(qū)動(dòng)器）會(huì)在主 FET（GATE 驅(qū)動(dòng)器）完全導(dǎo)通后被關(guān)斷，而 WAKE 會(huì)置為低電平有效，表示退出低功耗模式。

器件等待外部 LPM 信號(hào)變?yōu)楦唠娖揭赞D(zhuǎn)換到工作模式。

低功耗模式下的可用保護(hù)功能包括：

• 輸入 UVLO：當(dāng) EN/UVLO 上的電壓降至低于 V_(UVLOF) 時(shí)，旁路 FET（G 驅(qū)動(dòng)器）會(huì)被關(guān)斷。
• 電荷泵 UVLO：當(dāng) BST 和 SRC 之間的電壓降至低于 V_{(BST_UVLOF)} 且 FLT 置為低電平有效時(shí)，旁路 FET（G 驅(qū)動(dòng)器）會(huì)被關(guān)斷。

• 旁路 FET 短路保護(hù)（短路喚醒）：該保護(hù)一直持續(xù)到旁路 FET 的 VGS（G 至 SRC）達(dá)到 V_{G_GOOD} 閾值為止。如果 CS2+ 和 CS2– 之間的電壓超過設(shè)定的短路閾值 V_{(LPM_SCP)}，則器件會(huì)在 t_{LPM_SC} 時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通主 FET（GATE 驅(qū)動(dòng)器），從而轉(zhuǎn)換至負(fù)載喚醒狀態(tài)。

  在負(fù)載喚醒狀態(tài)下，如果負(fù)載電流仍然很高且超過設(shè)定的短路閾值 (V_SCP)，則器件會(huì)在 t_SC 時(shí)間內(nèi)關(guān)斷主路徑（GATE 驅(qū)動(dòng)器）和旁路 FET（G 驅(qū)動(dòng)器）。器件會(huì)根據(jù)所選配置進(jìn)入自動(dòng)重試或閉鎖模式，且 FLT 置為低電平有效。