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ZHCSSE1A September 2024 – December 2024 TPS1214-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGE|23
- MPQF802

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.6 開關(guān)特性

T_J = –40°C 至 +125°C。V_(VS) = 12V、V_{(BST – SRC)} = 11V、V_(SRC) = 0V

參數(shù)		測試條件	典型值	最大值	單位
t_{GATE(INP_H)}	INP 導(dǎo)通傳播延遲	INP ↑ 至 GATE ↑，C_L(GATE) = 47nF	1.2	2.5	μs
t_{GATE(INP_L)}	INP 關(guān)斷傳播延遲	INP ↓ 至 GATE ↓，C_L(GATE) = 47nF	0.35	1.5	μs
t_{G_ON(LPM)}	運行模式到 LPM 模式轉(zhuǎn)換延遲	LPM ↓ 至 G ↑，C_L(G) = 1nF	1.8	9	μs
t_{GATE_OFF(LPM)}	運行模式到 LPM 模式轉(zhuǎn)換延遲	LPM ↓，G ↑（高于 V_{(G_GOOD)}）至 GATE ↓，WAKE ↑（低到高 Z），C_L(GATE) = 47nF	37	51	μs
t_{GATE(WAKE_LPM)}	LPM 模式到工作模式轉(zhuǎn)換延遲，使用 LPM 觸發(fā)器	LPM ↑ 至 GATE ↑，C_L(GATE) = 47nF	3.8	6	μs
t_{G(WAKE_LPM)}	LPM 模式到工作模式轉(zhuǎn)換延遲，使用 LPM 觸發(fā)器	LPM ↑，GATE ↑（高于 V_{(G_GOOD)}）至 G ↓，WAKE ↓，C_L(G) = 1nF，V_(LPM) = 0V	9	15	μs
t_{GATE(WAKE_LWU)}	負(fù)載喚醒期間的 GATE 導(dǎo)通傳播延遲	V_{(CS2+–CS2-)}↑ V_(LWU) 至 GATE ↑， C_L(GATE) = 47nF，V_(LPM) = 0V	4	5.5	μs
t_{G(WAKE_LWU)}	負(fù)載喚醒期間的 G 關(guān)斷傳播延遲	V_{(CS2+–CS2-)} ↑ V_(LWU)，GATE ↑（高于 V_{(G_GOOD)}）至 G ↓，WAKE ↓，C_L(G) = 1nF，V_(LPM) = 0V	9	15	μs
t_{GATE(EN_OFF)}	EN 關(guān)斷傳播延遲	EN ↓ 至 GATE ↓，C_L(GATE) = 47nF， V_(LPM) = 2V	3.1	4.5	μs
t_{GATE(UVLO_OFF)}	UVLO 關(guān)斷傳播延遲	UVLO ↓ 至 GATE ↓，C_L(GATE) = 47nF， V_(LPM) = 2V	4	6.5	μs
t_{GATE(UVLO_ON)}	UVLO 至 GATE 導(dǎo)通傳播延遲，CBT 預(yù)偏置大于 VPORF 且 INP 保持高電平	EN/UVLO ↑ 至 GATE ↑，C_L(GATE) = 47nF， V_(LPM) = 2V	8.5	25	μs
t_{GATE(VS_OFF)}	GATE 關(guān)斷傳播延遲，VS 下降至低于 VPORF 且 INP、EN/UVLO 保持高電平	VS ↓（越過 VPORF）至 GATE ↓， C_L(GATE) = 47nF，V_(LPM) = 0V	25	40	μs
t_SC	運行模式下短路保護傳播延遲	V_{(CS1+–CS1-)} ↑ V_(SCP) 至 GATE ↓， C_L(GATE) = 47nF，V_(LPM) = 2V	3.9	5	μs
t_{LPM_SC}	LPM 下的短路保護傳播延遲（通過短路上電進入 LPM）	V_{(CS2+–CS2-)} ↑ V_{(LPM_SCP)} 至 GATE ↑， C_L(GATE) = 47nF，V_(LPM) = 0V	3.1	4.5	μs
t_{GATE_ON(RPP)}	當(dāng) V_(BST) < V_{(BST_UVLOF)} 時，反極性事件期間的 GATE 導(dǎo)通延遲	V_(VS) = 0 至 –16V 至 V_{(GATE – SRC)} > 5V， C_L(GATE) = 47nF，C_BST = 100nF 僅限 TPS12141-Q1 和 TPS12143-Q1	120		μs
t_{GATE_ON(RPP)}	當(dāng) V_(BST) > V_{(BST_UVLOF)} 時，反極性事件期間的 GATE 導(dǎo)通延遲	V_(VS) = 24V 至 –45V 至 V_{(GATE – SRC)} > 5V， C_L(GATE) = 47nF，C_BST = 1μF 僅限 TPS12141-Q1 和 TPS12143-Q1	26		μs
t_{GATE(FLT_ASSERT)}	短路期間的 FLT 置為有效延遲	V_{(CS1+–CS1–)} ↑ V_(SCP) 至 FLT ↓	15	21	μs
t_{GATE(FLT_DE_ASSERT)}	短路期間的 FLT 置為無效延遲	V_{(CS1+–CS1–)} ↓ V_(SCP) 至 FLT ↑	3.8		μs
t_{GATE(FLT_ASSERT_BSTUVLO)}	GATE 驅(qū)動 UVLO 期間的 FLT 置為有效延遲	V_(GATE–SRC) ↓ V_(BSTUVLOR) 至 FLT ↓	30		μs
t_{GATE(FLT_DE_ASSERT_BSTUVLO)}	GATE 驅(qū)動 UVLO 期間的 FLT 置為無效延遲	V_(GATE–SRC) ↑ V_(BSTUVLOR) 至 FLT ↑	15		μs