ZHCSSE1A September 2024 – December 2024 TPS1214-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|23
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.3.2.2 使用主 FET（GATE 驅(qū)動(dòng)器）柵極壓擺率控制
在不使用低功耗旁路路徑的應(yīng)用中，可以使用主 FET GATE 驅(qū)動(dòng)器控制來(lái)進(jìn)行電容充電。
為了在具有容性負(fù)載的主 FET 導(dǎo)通期間限制浪涌電流，請(qǐng)使用 R1、R2、C1、D2，如圖 8-7 所示。R1 和 C1 元件會(huì)減慢主 FET 柵極的電壓斜坡速率。FET 源極跟隨柵極電壓，從而在輸出電容器上實(shí)現(xiàn)受控電壓斜坡。
圖 8-7 主路徑中的浪涌電流限制使用方程式 6 可以計(jì)算 FET 導(dǎo)通期間的浪涌電流。
方程式 6.
方程式 7.
其中，
CLOAD 是負(fù)載電容。
VBATT 是輸入電壓，Tcharge 是充電時(shí)間。
V(BST-SRC) 是電荷泵電壓 (12V)。
使用與 C1 串聯(lián)的阻尼電阻 R2（大約 10Ω）。方程式 8 可用于計(jì)算目標(biāo)浪涌電流所需的 C1 值。R1 的 100kΩ 電阻可以作為計(jì)算的良好起點(diǎn)。
D2 通過(guò)繞過(guò) R1 確?？焖訇P(guān)斷 GATE 驅(qū)動(dòng)器。
C1 會(huì)在開(kāi)通期間在 CBST 上產(chǎn)生額外的充電負(fù)載。使用以下公式可計(jì)算所需的 CBST 值：
方程式 8.
其中，
Qg(total) 是 FET 的總柵極電荷。
ΔVBST（典型值為 1V）是 BST 到 SRC 引腳上的紋波電壓。