ZHCSSE1A September 2024 – December 2024 TPS1214-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|23
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
3 說(shuō)明
TPS1214-Q1 是具有保護(hù)和診斷功能的低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器系列。該器件具有 3.5V 至 73V 的寬工作電壓范圍，以及 74V 絕對(duì)最大額定值，適用于 12V、24V 和 48V 汽車(chē)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
它有兩個(gè)集成柵極驅(qū)動(dòng)器，分別具有 0.5A 拉電流和 2A 灌電流 (GATE) 以及 100μA 拉電流和 0.39A 灌電流 (G)。當(dāng) LPM 為低電平時(shí)，低功耗路徑保持導(dǎo)通，而主 FET 以 20μA（典型值）的 IQ 被關(guān)斷。使用放置在 CS2+ 和 CS2– 之間的 RBYPASS 電阻器可調(diào)整自動(dòng)負(fù)載喚醒閾值。在 EN/UVLO 處于低電平時(shí)，IQ 降至 1μA（典型值）。
該器件具有精確的電流檢測(cè) (±2%) 輸出 (IMON)，支持基于 I2t 的可調(diào)節(jié)過(guò)流和短路保護(hù)，后者采用外部 RSNS 電阻器和 FLT 指示功能?？梢耘渲米詣?dòng)重試和鎖存故障行為。該器件還具有基于 NTC 的溫度檢測(cè) (TMP) 和用于外部 FET 過(guò)熱檢測(cè)的監(jiān)控輸出 (ITMPO) 輸出。
TPS1214-Q1 采用 23 引腳 VQFN 封裝。
(1) 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。
(2) 封裝尺寸（長(zhǎng) × 寬）為標(biāo)稱(chēng)值，并包括引腳（如適用）。
驅(qū)動(dòng) PAAT 負(fù)載的 TPS12141-Q1 應(yīng)用電路
驅(qū)動(dòng) PAAT 負(fù)載、B2B FET 的 TPS12140-Q1 應(yīng)用電路