ZHCSSE1A September 2024 – December 2024 TPS1214-Q1
PRODUCTION DATA
檢測(cè)電阻 (RSNS) 必須靠近 TPS1214-Q1 放置,然后使用開(kāi)爾文方法連接 RSNS。更多有關(guān)開(kāi)爾文技術(shù)的信息,請(qǐng)參閱選擇合適的檢測(cè)電阻布局。
在所有應(yīng)用下,TI 建議在 VS 端子和 GND 之間使用 0.1μF 或更高值的陶瓷去耦電容器。為改善去耦以應(yīng)對(duì)電源線路干擾,可考慮在控制器的電源引腳 (VS) 處添加 RC 網(wǎng)絡(luò)。
為最大限度減小環(huán)路電感,從板輸入到負(fù)載的大電流路徑以及返回路徑必須相互平行且彼此靠近。
外部 MOSFET 必須靠近控制器放置,以便 MOSFET 的 GATE 靠近 GATE 引腳,從而形成較短的 GATE 環(huán)路??紤]添加一個(gè)占位電阻與每個(gè)外部 MOSFET 的柵極串聯(lián),以便在需要時(shí)抑制高頻振蕩。
在輸入端放置一個(gè) TVS 二極管以用于在熱插拔和快速關(guān)斷事件期間鉗制電壓瞬態(tài)。
外部自舉電容器必須靠近 BST 和 SRC 引腳放置,以形成極短的環(huán)路。
TPS1214-Q1 周?chē)鞣N元件的接地連接必須直接相互連接,并連接至 TPS1214-Q1 的 GND,然后在某處連接至系統(tǒng)接地。請(qǐng)勿通過(guò)大電流接地線將各種元件接地相互連接。