遵循第 8.2.2 節(jié)中概述的類似設(shè)計(jì)過程，外部元件值計(jì)算如下：

• R_SNS = 0.5mΩ
• R_SET = 300Ω
• R_IMON = 18.2kΩ
• R_IOC = 23kΩ，用于將 40A 設(shè)置為 I²t 保護(hù)啟動(dòng)閾值
• C_I2t = 1μF，用于將 3000A²s 設(shè)置為 I²T 因數(shù)
• C_BST = 150nF
• R_ISCP = 2.55kΩ，用于將 130A 設(shè)置為短路保護(hù)閾值
• C_TMR = 47nF，用于設(shè)置 1000ms 自動(dòng)重試時(shí)間
• 分別選擇 470kΩ 和 107kΩ 作為 R3 和 R4，以便將 VIN 欠壓鎖定閾值設(shè)置為 6.5V

負(fù)載喚醒閾值編程，R_BYPASS 和 Q₃ 選擇

在正常運(yùn)行期間，串聯(lián)電阻 R_BYPASS 用于設(shè)置負(fù)載喚醒電流閾值。在達(dá)到 V_{G_GOOD} 閾值后，CS2+ 和 CS2– 之間的電壓會與負(fù)載喚醒事件的 V_(LWU) 閾值（典型值 200mV）進(jìn)行比較。選擇 MOSFET Q3 時(shí)，重要的電氣參數(shù)為最大持續(xù)漏極電流 I_D、最大漏源電壓 V_DS(MAX)、最大柵源電壓 V_GS(MAX) 以及漏源導(dǎo)通電阻 R_DSON。

根據(jù)設(shè)計(jì)要求，選擇的是 BUK7J1R4-40H，其電壓等級為：

40V V_DS(MAX) 和 ±20V V_GS(MAX)

在 10V VGS 下，R_DS(ON) 的典型值為 1.06mΩ

可以使用以下公式選擇 R_BYPASS 電阻值：

若要設(shè)置 200mA 負(fù)載喚醒電流，則 R_BYPASS 電阻計(jì)算結(jié)果為 1Ω。

可通過以下公式計(jì)算旁路電阻器的平均額定功率：

R_BYPASS 平均功率耗散計(jì)算結(jié)果為 0.04W。

以下公式可計(jì)算旁路電阻器中的峰值功率耗散：

R_BYPASS 的峰值功率耗散計(jì)算結(jié)果為約 256W。短路進(jìn)入 LPM 時(shí)上電的峰值功率耗散時(shí)間可以通過電氣特性表中的 t_{(LPM_SC)} 參數(shù) (5μs) 推導(dǎo)出來。

根據(jù) P_PEAK 和 t_{(LPM_SC)}，應(yīng)使用 1Ω、1%、3/4W CRCW12101R00FKEAHP 電阻，以支持大于 t_{(LPM_SC)} 時(shí)間的平均功率耗散和峰值功率耗散。TI 建議設(shè)計(jì)人員與電阻制造商分享旁路電阻器的整個(gè)功率耗散曲線并獲取他們的建議。

可根據(jù)以下公式計(jì)算旁路路徑中的峰值短路電流：

根據(jù)方程式 31 中選擇的 R_BYPASS，計(jì)算出 I_{PEAK_BYPASS} 為 16A。TI 建議設(shè)計(jì)人員確保旁路路徑 (Q3) 的工作點(diǎn)（V_{BATT_MAX}、I_{PEAK_BYPASS}）處于 SOA 曲線內(nèi)的時(shí)間大于 t_{(LPM_SC)}。

浪涌電流編程，R_g 和 C_g 選擇

請使用以下公式來計(jì)算 I_INRUSH：

在方程式 35 中計(jì)算的 I_INRUSH 應(yīng)該始終小于低功耗模式下的短路喚醒電流 (I_{LPM_SC})，后者可使用以下公式計(jì)算：

對于 1Ω R_BYPASS，I_{LPM_SC} 計(jì)算結(jié)果為 2A，該值小于 I_INRUSH。

使用以下公式，可根據(jù)方程式 35 中計(jì)算出的 I_INRUSH 計(jì)算所需的 C_g。

其中，I_(G) 為 100μA（典型值）

若要將 I_INRUSH 設(shè)置為 1.6A，則 C_g 值計(jì)算結(jié)果為約 50nF。

串聯(lián)電阻 R_g 必須與 Cg 一起用于限制關(guān)斷期間來自 Cg 的放電電流。

選擇的 R_g 值為 100Ω，C_g 為 68nF。