ZHCAAD4C June   2021  – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159

1.   商標
2. 1引言
3. 2半導體開關
   1. 2.1 NMOS 開關
   2. 2.2 PMOS 開關
4. 3信號開關基本結構
   1. 3.1 NMOS 串聯(lián)開關
   2. 3.2 NMOS/PMOS 并聯(lián)開關
   3. 3.3 帶有電荷泵的 NMOS 串聯(lián)開關
5. 4數(shù)字開關應用中的關鍵問題
   1. 4.1  電源和控制電壓要求
   2. 4.2  軌至軌運行
   3. 4.3  下沖
   4. 4.4  ron
   5. 4.5  Cio(off)
   6. 4.6  Cio(on)
   7. 4.7  Ci（控制輸入電容）
   8. 4.8  泄漏電流
   9. 4.9  啟用和禁用延遲和傳播延遲
   10. 4.10 部分斷電
   11. 4.11 電壓轉(zhuǎn)換
6. 5信號開關系列
   1. 5.1 CBT-C 系列
      1. 5.1.1 CBT-C 系列特性
         1. 5.1.1.1 VO 和 VI
         2. 5.1.1.2 ron 和 VI
         3. 5.1.1.3 下沖保護
      2. 5.1.2 CBT-C 系列應用
         1. 5.1.2.1 總線隔離
   2. 5.2 CBTLV 系列
      1. 5.2.1 CBTLV 系列特性
   3. 5.3 CB3Q 系列
      1. 5.3.1 CB3Q 系列特性
         1. 5.3.1.1 VO 和 VI
         2. 5.3.1.2 ron 和 VI
         3. 5.3.1.3 高頻運行
         4. 5.3.1.4 輸出偏斜
         5. 5.3.1.5 頻率響應
         6. 5.3.1.6 相鄰通道串擾
      2. 5.3.2 CB3Q 系列應用
         1. 5.3.2.1 USB 應用中的多路復用器
   4. 5.4 CB3T 系列
      1. 5.4.1 CB3T 系列特性
         1. 5.4.1.1 VO 和 VI
         2. 5.4.1.2 ron 和 VI
         3. 5.4.1.3 高頻運行
      2. 5.4.2 CB3T 系列應用
         1. 5.4.2.1 筆記本電腦中外部監(jiān)視器終端的電壓轉(zhuǎn)換
7. 6應用
   1. 6.1 多路復用 USB 外圍設備
   2. 6.2 多路復用以太網(wǎng)
   3. 6.3 筆記本電腦擴展塢
8. 7結論
9. 8參考文獻
10. 9修訂歷史記錄
11.   A 測試測量電路
    1.     A.1 ron 測量設置
    2.     A.2 VO 和 VI 特性的測量設置
    3.     A.3 電壓-時間波形測量（開關開啟）
    4.     A.4 電壓-時間波形測量（開關關斷）
    5.     A.5 輸出偏斜測量
    6.     A.6 下沖測量的仿真設置
    7.     A.7 用于衰減測量的實驗室設置
    8.     A.8 用于關斷隔離測量的實驗室設置
    9.     A.9 用于串擾測量的實驗室設置