ZHCAAD4C June 2021 – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (IGFET) 開關(guān)是一種廣泛使用的電子開關(guān),金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是 IGFET 的一種類型。雖然術(shù)語MOSFET 更常用,但現(xiàn)在大多數(shù)電子開關(guān)不使用金屬氧化物作為柵極,而是使用更先進(jìn)的工藝制作柵極。TI 使用先進(jìn)的多晶硅柵極增強(qiáng)型晶體管技術(shù)來制造半導(dǎo)體開關(guān),從而能夠更好地控制性能特性。本應(yīng)用報(bào)告使用 MOSFET 及其相關(guān)術(shù)語,因?yàn)樗鼈冊(cè)诎雽?dǎo)體文獻(xiàn)中更為常見。當(dāng)將足夠的偏置電壓施加到 MOSFET 柵極時(shí),源極和漏極之間會(huì)形成一條低電阻路徑;當(dāng)去除偏置電壓時(shí),該路徑的電阻變得非常大。MOSFET 可分為兩種類型:n 通道 MOSFET (NMOS) 和 p 通道 MOSFET (PMOS)。