ZHCAAD4C June 2021 – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159
盡管 NMOS/PMOS 并聯(lián)開(kāi)關(guān)中的源漏電阻低于 NMOS 串聯(lián)開(kāi)關(guān)中的源漏電阻,但 PMOS 增加了電容,這對(duì)于某些應(yīng)用來(lái)說(shuō)是不可取的。為了解決這個(gè)問(wèn)題,可采用另一種開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu),即在 NMOS 串聯(lián)開(kāi)關(guān)中加入了電荷泵電路。電荷泵電路在 NMOS 的柵極產(chǎn)生的電壓比 VCC 高 2V 到 3V。因此,當(dāng)輸入達(dá)到 VCC 電平時(shí),在 0V 至 VCC 輸入電壓范圍內(nèi),開(kāi)關(guān)仍處于閉合狀態(tài),輸出電壓等于輸入電壓。在 NMOS 串聯(lián)開(kāi)關(guān)中實(shí)現(xiàn)電荷泵電路的缺點(diǎn)是,電荷泵電路會(huì)產(chǎn)生額外功耗。圖 3-5 所示為帶有電荷泵的 NMOS 串聯(lián)開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)單原理圖,圖 3-6 所示為 ron 和 VI 特性。