ZHCAAD4C June 2021 – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159
CB3Q(高帶寬交叉開關(guān)技術(shù))系列開關(guān)僅為 NMOS,具有平緩的低 ron。ron 的平緩特性是通過電荷泵電路實(shí)現(xiàn)的,該電路在 n 通道傳輸晶體管的柵極上產(chǎn)生約 7V 的電壓。因此,可實(shí)現(xiàn) 0V 至 5V 軌至軌開關(guān)電壓,因?yàn)闁旁措妷哼h(yuǎn)高于 n 通道晶體管的閾值,并且開關(guān)在整個(gè) 0V 至 5V 范圍內(nèi)完全打開。內(nèi)部振蕩器電路是電荷泵電路的一部分;因此,該系列的靜態(tài)功耗高于 CBT-C 系列。動(dòng)態(tài)功耗取決于使能輸入的頻率。除了平緩的低 ron 外,該系列還具有低輸入和輸出電容,因此適用于高性能應(yīng)用。I/O 信號(hào)的最大開關(guān)頻率取決于各種因素,例如負(fù)載類型、輸入信號(hào)幅值、輸入信號(hào)邊沿速率、封裝類型等。封裝較大時(shí),電感和電容會(huì)形成諧振電路,引起相位和幅值失真。容性負(fù)載較大時(shí),RC 時(shí)間常量變高并限制頻率。圖 5-9 示出了 CB3Q 器件的簡(jiǎn)化原理圖。