ZHCAAD4C June 2021 – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159
ron 為開關(guān)閉合時(shí)的電阻。ron 應(yīng)盡可能低以減少信號(hào)損失和傳播延遲。開關(guān)的傳播延遲取決于由開關(guān) ron 和負(fù)載電容組成的 RC 時(shí)間常量。對(duì)于傳輸線環(huán)境中的應(yīng)用，ron 應(yīng)小于或等于線路阻抗，從而最大限度地減少不必要的信號(hào)反射。對(duì)于開關(guān)連接到阻性負(fù)載的數(shù)字應(yīng)用，開關(guān)電阻和負(fù)載電阻形成分壓器。所以，在這種情況下，ron 應(yīng)盡可能低，從而保持下游器件的輸入邏輯為高電平有效（例如，VIH）。ron 不僅要很小，而且要在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)保持平緩，從而保持從輸入到輸出的線性信號(hào)變化。信號(hào)失真取決于 ron 和 VI 曲線的平緩度，即等于 20log?ron/RL，其中 RL 為負(fù)載電阻。因此，為了在信號(hào)幅值變化時(shí)保持最小信號(hào)失真，ron 應(yīng)在整個(gè)輸入信號(hào)范圍內(nèi)保持平緩。在 NMOS 串聯(lián)開關(guān)中，需要專用柵極升壓電路使 ron 在 VCC 范圍內(nèi)保持平緩。在 NMOS/PMOS 并聯(lián)開關(guān)中，ron 相當(dāng)恒定，并且在 0V 至 VCC 輸入電壓范圍內(nèi)可能有多個(gè)峰值。ron 與 VI 的曲線形狀取決于 NMOS 和 PMOS 的閾值電壓（請(qǐng)參閱 圖 3-4）。