6 引腳配置和功能

BQ25618E BQ25619E BQ25618E YFF 封裝30 引腳 WCSP頂視圖

圖 6-1 BQ25618E YFF 封裝30 引腳 WCSP頂視圖

BQ25618E BQ25619E BQ25619E RTW 封裝24 引腳 WQFN頂視圖

圖 6-2 BQ25619E RTW 封裝24 引腳 WQFN頂視圖

表 6-1 引腳功能

引腳			類型⁽¹⁾	說明
名稱	BQ25618E 編號(hào)	BQ25619E 編號(hào)	類型⁽¹⁾	說明
BAT	C1、D1、E1、F1	13、14	P	指向電池包正極端子的電池連接。內(nèi)部電流檢測電阻器連接在 SYS 和 BAT 之間。將 10μF 電容器連接到緊靠 BAT 引腳的位置。
BATSNS	F3	10	AIO	用于充電電壓調(diào)節(jié)的電池電壓檢測引腳。為了更大限度地減小充電期間的寄生引線電阻，BATSNS 引腳應(yīng)連接到盡可能靠近電池包正極端子的位置。
BTST	C3	21	P	PWM 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器正電源。在內(nèi)部，BTST 連接到自舉二極管的陰極。在 SW 和 BTST 之間連接一個(gè) 0.047μF 自舉電容器。
CE	E3	9	DI	充電使能引腳。當(dāng)該引腳被驅(qū)動(dòng)為低電平時(shí)，電池充電啟用。
GND	A1、B1	17、18	P	接地
INT	F4	7	DO	開漏中斷輸出。通過 10kΩ 電阻器將 INT 連接到邏輯軌。INT 引腳向主機(jī)發(fā)送一個(gè)低電平有效的 256μs 脈沖，以報(bào)告充電器器件狀態(tài)和故障。
NC	B5、D5	8	—	未連接。保持該引腳懸空。
PMID	A3、B3	23	DO	連接至反向阻斷 MOSFET (RBFET) 的漏極和 HSFET 的漏極?？紤]總輸入電容，在 VBUS 和 GND 之間放置 1μF 電容，其余電容置于 PMID 和 GND 之間（典型值為 2x4.7μF + 1nF）。
PG	不適用	3	DO	開漏低電平有效電源正常指示器。通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。如果輸入電壓介于 UVLO 和 ACOV 之間，高于睡眠模式閾值且電流限制高于 30mA，則低電平表示輸入源正常。PG 僅適用于 BQ25619E，不適用于 BQ25618E。
PSEL	C5	2	DI	電源選擇輸入。高電平表示輸入電流限制為 500mA。低電平表示輸入電流限制為 2.4A。器件進(jìn)入主機(jī)模式后，主機(jī)可以將不同的輸入電流限制編程到 IINDPM 寄存器。
QON	D4	12	DI	BATFET 使能/復(fù)位控制輸入。當(dāng) BATFET 處于運(yùn)輸模式時(shí)，邏輯低電平持續(xù) t_SHIPMODE 時(shí)間將導(dǎo)通 BATFET 以退出運(yùn)輸模式。當(dāng) BATFET 不處于運(yùn)輸模式時(shí)，邏輯低電平持續(xù) t_{QON_RST} 時(shí)間（最短 8s）將通過使 BATFET 關(guān)斷 t_{BATFET_RST} 時(shí)間（最短 250ms）來復(fù)位 SYS（系統(tǒng)電源），然后重新啟用 BATFET 以提供完全系統(tǒng)電源復(fù)位。主機(jī)通過 I²C 位 BATFET_RST_WVBUS 在 VBUS 拔出或未拔出的情況下選擇 BATFET 復(fù)位功能。該引腳通過 200kΩ 電阻器上拉至 V_BAT，以便在運(yùn)輸模式下保持默認(rèn)的邏輯高電平。它有一個(gè) 6.5V 的內(nèi)部鉗位電壓。
REGN	C4	22	P	PWM 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器正電源輸出。在內(nèi)部，REGN 連接到自舉二極管的陽極。在 REGN 到模擬 GND 之間連接一個(gè) 4.7μF（額定電壓為 10V）的陶瓷電容器。電容器應(yīng)靠近 IC 放置。
SCL	F5	5	DI	I²C 接口時(shí)鐘。通過 10kΩ 電阻器將 SCL 連接到邏輯軌。
SDA	E4	6	DIO	I²C 接口數(shù)據(jù)。通過 10kΩ 電阻器將 SDA 連接到邏輯軌。
STAT	E5	4	DO	開漏中斷輸出。通過 10kΩ 電阻器將 STAT 引腳連接到邏輯軌。STAT 引腳指示充電器狀態(tài)。正在進(jìn)行充電：低電平充電完成或充電器處于睡眠模式：高電平充電暫停（故障響應(yīng)）：以 1Hz 的頻率閃爍
SW	A2、B2	19、20	P	連接到輸出電感器的開關(guān)節(jié)點(diǎn)。在內(nèi)部，SW 連接至 N 溝道 HSFET 的源極和 N 溝道 LSFET 的漏極。在 SW 和 BTST 之間連接一個(gè) 0.047μF 自舉電容器。
SYS	C2、D2、E2、F2	15、16	P	轉(zhuǎn)換器輸出連接點(diǎn)。內(nèi)部電流檢測電阻器連接在 SYS 和 BAT 之間。將 10μF（最小值）連接到緊靠 SYS 引腳的位置。
TS	D3	11	AI	電池溫度鑒定電壓輸入。連接一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻 (NTC)。使用從 REGN 到 TS 再到 GND 的電阻分壓器對溫度窗口進(jìn)行編程。當(dāng) TS 引腳電壓超出范圍時(shí)，充電暫停。不使用 TS 引腳時(shí)，在 REGN 和 TS 之間連接一個(gè) 10kΩ 電阻器，并且在 TS 和 GND 之間連接一個(gè) 10kΩ 電阻器，或者將 TS_IGNORE 設(shè)置為高電平以忽略 TS 引腳。建議使用 103AT-2 熱敏電阻。
VAC	A5	1	AI	輸入電壓檢測。該引腳必須連接至 VBUS。
VBUS	A4、B4	24	P	充電器輸入電壓。內(nèi)部 N 溝道反向阻斷 MOSFET (RBFET) 連接在 VBUS 和 PMID 之間，同時(shí) VBUS 位于源極。在 VBUS 和 GND 之間放置一個(gè) 1μF 陶瓷電容器，使之盡可能靠近 IC。
散熱焊盤	不適用	—	P	器件的接地基準(zhǔn)，也是用于傳導(dǎo)器件熱量的散熱焊盤。此連接有兩個(gè)用途。第一個(gè)用途是為器件提供電氣接地連接。第二個(gè)用途是提供一條從器件芯片到 PCB 的低熱阻抗路徑。該散熱焊盤應(yīng)該在外部連接至接地層。

(1) AI = 模擬輸入，AO = 模擬輸出，AIO = 模擬輸入/輸出，DI = 數(shù)字輸入，DO = 數(shù)字輸出，DIO = 數(shù)字輸入/輸出，P = 電源