ZHCSLX8B October 2020 – July 2024 BQ25618E , BQ25619E
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 說明（續(xù)）
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13修訂歷史記錄
- 14機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YFF|30
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
9.2.2.2 輸入電容器和電阻器
在設(shè)計(jì)輸入電容時(shí)應(yīng)確保能夠提供足夠的額定紋波電流以吸收輸入開關(guān)紋波電流。當(dāng)占空比為 0.5 時(shí)，最壞情況下的 RMS 紋波電流是充電電流的一半。如果轉(zhuǎn)換器不以 50% 的占空比運(yùn)行，則最壞情況電容器 RMS 電流 ICIN 發(fā)生在占空比最接近 50% 的位置，并可使用方程式 5 估算得出。
方程式 5. 
X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷電容器是輸入去耦電容器的首選，應(yīng)盡可能靠近高側(cè) MOSFET 的漏極和低側(cè) MOSFET 的源極放置。電容器的額定電壓必須高于正常輸入電壓電平。對(duì)于 12V 輸入電壓，首選額定電壓為 25V 或更高的電容器。對(duì)于 1.5A 的典型充電電流，建議使用最小 10μF 的電容。