ZHCSLX8B October 2020 – July 2024 BQ25618E , BQ25619E
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 說明（續(xù)）
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13修訂歷史記錄
- 14機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YFF|30
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.3.4.1 窄電壓直流 (NVDC) 架構(gòu)
該器件部署 NVDC 架構(gòu)，BATFET 可將系統(tǒng)與電池分離。最小系統(tǒng)電壓由 SYS_MIN 位設(shè)置。即使電池電量完全耗盡，也可將系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)至高于最小系統(tǒng)電壓。
當(dāng)電池電壓低于最小系統(tǒng)電壓設(shè)置時(shí)，BATFET 以線性模式（LDO 模式）運(yùn)行，并且系統(tǒng)電壓通常比最小系統(tǒng)電壓設(shè)置高 180mV。當(dāng)電池電壓上升到高于最小系統(tǒng)電壓時(shí)，BATFET 將完全導(dǎo)通，系統(tǒng)和電池之間的電壓差為 BATFET 的 VDS。
當(dāng)電池充電被禁用并且高于最小系統(tǒng)電壓設(shè)置，或者充電終止時(shí)，系統(tǒng)電壓將始終調(diào)節(jié)至比電池電壓高 50mV（典型值）。當(dāng)系統(tǒng)處于最小系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，狀態(tài)寄存器 VSYS_STAT 位變?yōu)?1。
圖 8-1 系統(tǒng)電壓與電池電壓間的關(guān)系