為了更大限度減少開關(guān)損耗，應(yīng)該盡可能縮短開關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升和下降時間。為了防止電場和磁場輻射以及高頻諧振問題，請務(wù)必確保元件布局合理，以盡可能減小高頻電流路徑環(huán)路（參閱圖 11-1）。請仔細(xì)按照以下特定順序來實(shí)現(xiàn)正確的布局。
- 將輸入電容器盡可能靠近 PMID 引腳和 GND 引腳連接放置，并使用盡可能短的覆銅線跡連接或 GND 層。添加 1nF 小尺寸（例如 0402 或 0201）去耦電容器，以改進(jìn)高頻噪聲濾波器和 EMI。
- 將電感器輸入引腳放置在盡可能靠近 SW 引腳的位置。最大限度地減小此布線的覆銅面積，以減少電場和磁場輻射，但應(yīng)確保該布線足夠?qū)?，能夠承載充電電流。不要為此連接并聯(lián)使用多個層。更大限度地降低從此區(qū)域到任何其他布線或平面的寄生電容。
- 將輸出電容器靠近電感器和器件放置。需要通過短銅引線連接或 GND 平面將接地接頭連接至 IC 接地端。
- 模擬接地與電源接地分開布線。分別連接模擬接地和電源接地。使用散熱焊盤作為單一接地連接點(diǎn)，將模擬接地和電源接地連接在一起?；蚴褂?0Ω 電阻器將模擬接地連接到電源接地。
- 使用單一接地連接將充電器電源接地連接到充電器模擬接地。器件正下方。使用接地覆銅但避免使用電源引腳，以減少電感和電容噪聲耦合。
- 將去耦電容器靠近 IC 引腳放置，并盡量縮短引線連接。
- 至關(guān)重要的是，器件封裝背面裸露的散熱焊盤應(yīng)焊接至 PCB 接地。確保 IC 正下方有足夠的熱過孔，且連接到其他層上的接地平面。
- 確保過孔的數(shù)量和尺寸能夠?yàn)榻o定電流路徑提供足夠的銅。
有關(guān)建議的元件放置以及布線和過孔位置，請參閱 BQ25618 BMS024 評估模塊 EVM 用戶指南 和 BQ25619 BMS025 評估模塊 EVM 用戶指南。對于 VQFN 信息，請參閱“Quad Flatpack No-Lead 邏輯封裝”應(yīng)用報(bào)告 和“QFN 和 SON PCB 連接”應(yīng)用報(bào)告。