ZHCSYD8 June 2025 DRV8363-Q1
ADVANCE INFORMATION
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳功能 48 引腳 DRV8363-Q1 器件
- 5 規(guī)格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 三相 BLDC 柵極驅(qū)動器
- 6.3.2 DVDD 線性穩(wěn)壓器
- 6.3.3 低側(cè)電流檢測放大器
- 6.3.4 柵極驅(qū)動器關斷
- 6.3.5
柵極驅(qū)動器保護電路
- 6.3.5.1 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 6.3.5.2 GVDD 過壓故障 (GVDD_OV)
- 6.3.5.3 VDRAIN 欠壓故障 (VDRAIN_UV)
- 6.3.5.4 VDRAIN 過壓故障 (VDRAIN_OV)
- 6.3.5.5 VCP 欠壓故障 (CP_OV)
- 6.3.5.6 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 6.3.5.7 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
- 6.3.5.8 MOSFET VGS 監(jiān)測保護
- 6.3.5.9 VSENSE 過流保護 (SEN_OCP)
- 6.3.5.10 熱關斷 (OTSD)
- 6.3.5.11 熱警告 (OTW)
- 6.3.5.12 OTP CRC
- 6.3.5.13 SPI 看門狗計時器
- 6.3.5.14 相位診斷
- 6.4 故障檢測和響應匯總表（故障表）
- 6.5 器件功能模式
- 6.6 編程
- 6.7 寄存器映射
- 7 應用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機械、封裝和可訂購信息
6.3.5.7 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
該器件具有可調(diào)節(jié)的 VDS 電壓監(jiān)視器，可檢測外部功率 MOSFET 上的過流或短路情況?？梢酝ㄟ^監(jiān)測外部 MOSFET RDS(on) 上的 VDS 壓降來檢測 MOSFET 過流事件。高側(cè) VDS 監(jiān)測器在 VDRAIN 和 SHx 引腳之間進行測量，低側(cè) VDS 監(jiān)測器在 SHx 和 SLx 引腳之間進行測量。如果外部 MOSFET 兩端的電壓超過 VDS_LVL 閾值的時間大于 tDS_DG 抗尖峰脈沖時間，則會識別到 VDS_OCP 事件。檢測到 VDS 過流事件后，所有柵極驅(qū)動器輸出都被驅(qū)動為低電平以禁用外部 MOSFET，并且 nFAULT 引腳被驅(qū)動為低電平。VDS 電平和抗尖峰脈沖時間是可編程的。
圖 6-17 DRV8363-Q1VDS 監(jiān)測器
圖 6-18 DRV8363-Q1VDS 檢測時序