ZHCSYD8 June 2025 DRV8363-Q1
ADVANCE INFORMATION
該器件集成了 TDRIVE 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)序控制,可防止外部 MOSFET 因寄生 dV/dt 柵極導(dǎo)致開(kāi)啟。每當(dāng) MOSFET 開(kāi)關(guān)時(shí),都會(huì)在相反方向的 MOSFET 柵極上啟用強(qiáng)下拉 ISTRONG 電流。該強(qiáng)下拉會(huì)持續(xù) TDRIVE 時(shí)長(zhǎng)。當(dāng)半橋開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓快速轉(zhuǎn)換時(shí),該功能有助于消除耦合到 MOSFET 柵極中的寄生電荷。