ZHCSYD8 June 2025 DRV8363-Q1
ADVANCE INFORMATION
在 DRV8363-Q1 的 6xPWM 模式中,高側(cè) INHx 和低側(cè) INLx 輸入獨立運行,但有一個例外,即當(dāng)同一半橋的高側(cè)和低側(cè)同時開啟時,以便防止發(fā)生跨導(dǎo)。該器件將高側(cè)和低側(cè)柵極輸出拉至低電平,以防止功率級發(fā)生擊穿現(xiàn)象,并且當(dāng)高側(cè)和低側(cè)輸入同時為邏輯高電平時,器件會報告故障 STP_FLT。
在6xPWM 模式中,如果 SPI 寄存器位 DEADT_MODE 為 0b 且 DEADT_MODE_6X 為 00b,則器件會監(jiān)測 INHx 和 INLx 并在 INHx=INLx=low 的周期短于 tDEAD 時插入死區(qū)時間。除 6xPWM 模式之外,無論配置如何,器件始終會插入死區(qū)時間。