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ZHCY211 December 2024 AMC0106M05 , AMC0106M25 , AMC0136 , AMC0311D , AMC0311S , AMC0386 , AMC0386-Q1 , AMC1100 , AMC1106M05 , AMC1200 , AMC1200-Q1 , AMC1202 , AMC1203 , AMC1204 , AMC1211-Q1 , AMC1300 , AMC1300B-Q1 , AMC1301 , AMC1301-Q1 , AMC1302-Q1 , AMC1303M2510 , AMC1304L25 , AMC1304M25 , AMC1305M25 , AMC1305M25-Q1 , AMC1306M05 , AMC1306M25 , AMC1311 , AMC1311-Q1 , AMC131M03 , AMC1336 , AMC1336-Q1 , AMC1350 , AMC1350-Q1 , AMC23C12 , AMC3301 , AMC3330 , AMC3330-Q1

1
引言
隔離式信號(hào)鏈簡(jiǎn)介
1. 比較隔離式放大器和隔離式調(diào)制器
  1. 摘要
  2. 隔離式放大器簡(jiǎn)介
  3. 隔離式調(diào)制器簡(jiǎn)介
  4. 隔離式放大器和隔離式調(diào)制器的性能比較
  5. 牽引逆變器中的隔離式調(diào)制器
  6. 隔離式放大器和調(diào)制器建議
  7. 結(jié)語(yǔ)
2. TI 具有超寬爬電距離和間隙的先進(jìn)隔離式放大器
  1. 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào)
選擇樹(shù)
電流檢測(cè)
1. 隔離式數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的分流電阻選型
  1. 17
2. 隔離式電流檢測(cè)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
  1. 19
  2. 結(jié)語(yǔ)
  3. 參考資料
  4. 相關(guān)網(wǎng)站
3. 具有 ±50mV 輸入和單端輸出的隔離式電流檢測(cè)電路
  1. 24
4. 具有 ±50mV 輸入和差分輸出的隔離式電流檢測(cè)電路
  1. 26
5. 具有 ±250mV 輸入范圍和單端輸出電壓的隔離式電流檢測(cè)電路
  1. 設(shè)計(jì)目標(biāo)
  2. 設(shè)計(jì)說(shuō)明
  3. 設(shè)計(jì)說(shuō)明
  4. 設(shè)計(jì)步驟
  5. 設(shè)計(jì)仿真
  6. 直流仿真結(jié)果
  7. 閉環(huán)交流仿真結(jié)果
  8. 瞬態(tài)仿真結(jié)果
  9. 設(shè)計(jì)參考資料
  10. 設(shè)計(jì)采用的隔離式放大器
  11. 設(shè)計(jì)備選隔離式放大器
6. 具有 ±250mV 輸入和差分輸出的隔離式電流測(cè)量電路
  1. 設(shè)計(jì)目標(biāo)
  2. 設(shè)計(jì)說(shuō)明
  3. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
  4. 設(shè)計(jì)步驟
  5. 設(shè)計(jì)仿真
  6. 直流仿真結(jié)果
  7. 閉環(huán)交流仿真結(jié)果
  8. 瞬態(tài)仿真結(jié)果
  9. 設(shè)計(jì)參考資料
  10. 設(shè)計(jì)采用的運(yùn)算放大器
  11. 設(shè)計(jì)備選運(yùn)算放大器
7. 隔離式過(guò)流保護(hù)電路
  1. 52
8. 將差分輸出（隔離式）放大器連接到單端輸入 ADC
  1. 54
9. 利用 AMC3311 為 AMC23C11 供電以實(shí)現(xiàn)隔離式檢測(cè)和故障檢測(cè)
  1. 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào)
10. 具有前端增益級(jí)的隔離式電流檢測(cè)電路
  1. 58
11. 隔離式分流器和閉環(huán)電流檢測(cè)的精度比較
  1. 60
電壓感測(cè)
1. 利用隔離式電壓檢測(cè)充分提高功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制效率
  1. 63
  2. 高壓檢測(cè)解決方案
  3. 集成電阻器件
  4. 單端輸出器件
  5. 集成隔離式電壓檢測(cè)用例
  6. 結(jié)語(yǔ)
  7. 其他資源
2. 借助集成高壓電阻隔離式放大器和調(diào)制器提高精度和性能
  1. 摘要
  2. 簡(jiǎn)介
  3. 高電壓電阻隔離式放大器和調(diào)制器的優(yōu)勢(shì)
    1. 節(jié)省空間
    2. 集成高壓電阻的溫度漂移和使用壽命漂移更低
    3. 精度結(jié)果
    4. 完全集成電阻與附加外部電阻示例
    5. 器件選擇樹(shù)和交流/直流常見(jiàn)用例
  4. 總結(jié)
  5. 參考資料
3. 適用于電壓檢測(cè)應(yīng)用且具有差分輸出、單端固定增益輸出和單端比例式輸出的隔離式放大器
  1. 摘要
  2. 引言
  3. 差分輸出、單端固定增益輸出和單端比例式輸出概述
  4. 應(yīng)用示例
    1. 產(chǎn)品選擇樹(shù)
  5. 總結(jié)
  6. 參考資料
4. 具有 ±250mV 輸入和差分輸出的隔離式電壓測(cè)量電路
  1. 93
5. 使用 AMC3330 進(jìn)行線間隔離式電壓測(cè)量的分接抽頭連接
  1. 95
6. 具有隔離放大器和偽差分輸入 SAR ADC 的 ±12V 電壓檢測(cè)電路
  1. 97
7. 具有隔離式放大器和差分輸入 SAR ADC 的 ±12V 電壓檢測(cè)電路
  1. 99
8. 隔離式欠壓和過(guò)壓檢測(cè)電路
  1. 101
9. 隔離式過(guò)零檢測(cè)電路
  1. 103
10. 具有差分輸出的 ±480V 隔離式電壓檢測(cè)電路
  1. 105
EMI 性能
1. 借助隔離式放大器實(shí)現(xiàn)出色的輻射發(fā)射 EMI 性能
2. 衰減 AMC3301 系列輻射發(fā)射 EMI 的最佳實(shí)踐
  1. 摘要
  2. 引言
  3. 輸入連接對(duì) AMC3301 系列輻射發(fā)射的影響
  4. 衰減 AMC3301 系列的輻射發(fā)射
    1. 鐵氧體磁珠和共模扼流圈
    2. AMC3301 系列的 PCB 原理圖和布局最佳實(shí)踐
  5. 使用多個(gè) AMC3301 器件
    1. 器件布置方式
    2. 多個(gè) AMC3301 的 PCB 布局最佳實(shí)踐
  6. 結(jié)論
  7. AMC3301 系列表
終端設(shè)備
1. 比較 HEV/EV 中基于采樣電阻和基于霍爾傳感器的隔離式電流檢測(cè)解決方案
  1. 128
2. 直流電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用中電流檢測(cè)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
  1. 摘要
  2. 引言
    1. 電動(dòng)汽車(chē)直流充電站
    2. 電流檢測(cè)技術(shù)選擇和等效模型
      1. 使用基于分流器的解決方案檢測(cè)電流
      2. 檢測(cè)技術(shù)的等效模型
  3. 交流/直流轉(zhuǎn)換器中的電流檢測(cè)
    1. 交流/直流級(jí)的基本硬件和控制說(shuō)明
      1. 交流電流控制環(huán)路
      2. 直流電壓控制環(huán)路
    2. A 點(diǎn)和 B 點(diǎn) – 交流/直流級(jí)交流相電流檢測(cè)
      1.        帶寬的影響
        
                穩(wěn)態(tài)分析：基波電流和過(guò)零電流
        
                瞬態(tài)分析：階躍功率和電壓驟降響應(yīng)
      2. 延遲的影響
        
        故障分析：電網(wǎng)短路
      3.        增益誤差的影響
        
                增益誤差導(dǎo)致的交流/直流級(jí)功率擾動(dòng)
        
                交流/直流級(jí)對(duì)增益誤差引起的功率擾動(dòng)的響應(yīng)
      4. 偏移的影響
    3. C 點(diǎn)和 D 點(diǎn) – 交流/直流級(jí)直流鏈路電流檢測(cè)
      1. 帶寬對(duì)前饋性能的影響
      2. 延遲對(duì)電源開(kāi)關(guān)保護(hù)的影響
      3. 增益誤差對(duì)功率測(cè)量的影響
        
        瞬態(tài)分析：D 點(diǎn)的前饋
      4. 偏移的影響
    4. A 點(diǎn)、B 點(diǎn)、C1/2 點(diǎn)和 D1/2 點(diǎn)的優(yōu)缺點(diǎn)匯總以及產(chǎn)品建議
  4. 直流/直流轉(zhuǎn)換器中的電流檢測(cè)
  5. 結(jié)語(yǔ)
  6. 參考資料
3. 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中使用隔離比較器進(jìn)行故障檢測(cè)
4. 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的 UCC23513 光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器中實(shí)現(xiàn)分立式 DESAT
  1. 摘要
  2. 引言
  3. 具有集成 DESAT 的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的系統(tǒng)挑戰(zhàn)
  4. 使用 UCC23513 和 AMC23C11 的系統(tǒng)方法
    1. 系統(tǒng)概述和主要規(guī)格
    2. 原理圖設(shè)計(jì)
      1. 電路原理圖
      2. 配置 VCE(DESAT) 閾值和 DESAT 偏置電流
      3. DESAT 消隱時(shí)間
      4. DESAT 抗尖峰脈沖濾波器
    3. 參考 PCB 布局
  5. 仿真和測(cè)試結(jié)果
    1. 仿真電路和結(jié)果
      1. 仿真電路
      2. 仿真結(jié)果
    2. 三相 IGBT 逆變器的測(cè)試結(jié)果
      1. 制動(dòng) IGBT 測(cè)試
      2. 具有相間短路保護(hù)功能的三相逆變器的測(cè)試結(jié)果
  6. 總結(jié)
  7. 參考資料
5. 交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的隔離式電壓檢測(cè)
  1. 引言
  2. 結(jié)論
  3. 參考文獻(xiàn)
6. 在服務(wù)器 PSU 中實(shí)現(xiàn)高性能隔離式電流和電壓檢測(cè)
  1. 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào)
其他參考設(shè)計(jì)/電路

配置 V_CE(DESAT) 閾值和 DESAT 偏置電流

電阻器 R9 至 R14 可用于調(diào)節(jié) V_CE(DESAT) 閾值和 DESAT 偏置電流 I_BIAS(DESAT)。以下公式經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)化，可用于快速估算不同 DESAT 閾值和 DESAT 偏置電流配置下的相應(yīng)值。

隔離比較器 AMC23C11 具有基準(zhǔn)電壓 VREF，該電壓由內(nèi)部 100μA 電流源和外部電阻器 R9 來(lái)設(shè)置。根據(jù)方程式 49 計(jì)算 R9 阻值，在此設(shè)計(jì)中將 VREF 設(shè)置為 1.5V。在這里選擇 1.5V，以便使 AMC23C11 在高遲滯模式下運(yùn)行^[1]。

方程式 49.

R 9 = \frac{V R E F}{100 μ A} = 15 k Ω

R10 和 R11 確定 DESAT 偏置電流，根據(jù)方程式 50 計(jì)算得出：

方程式 50.

R 10 = R 11 = 2 \times \frac{V D D - V_{C E (D E S A T)} - V_{F W (D 1)} - R 12 \times i_{B I A S (D E S A T)}}{i_{B I A S (D E S A T)} + i_{R 13 R 14 (D E S A T)}}

Here:

VDD 是 UCC23513 的電源電壓；在本例中為 15V，用于 IGBT 驅(qū)動(dòng)；
V_CE(DESAT) 是期望的 DESAT 閾值；在本設(shè)計(jì)中默認(rèn)為 8V；
V_FW(D1) 是高壓二極管 D1 的正向電壓；假設(shè)為 0.5V；
R12 通常設(shè)置為 100?^[9]；
i_{R13R14(DESAT)} 是流經(jīng) R13 和 R14 的電流。設(shè)為 0.5mA。設(shè)置得較低可能會(huì)降低抗噪性。
i_BIAS(DESAT) 是 IGBT 的 V_CE 達(dá)到 V_CE(DESAT) 時(shí)的 DESAT 偏置電流。在此設(shè)計(jì)中設(shè)置為 5.5mA。

因此，對(duì)于此設(shè)計(jì)，R10 和 R11 可以計(jì)算為 2k?。

正常 IGBT 運(yùn)行時(shí)需要選擇 R10 和 R11 的額定功率，此時(shí) V_CE(DESAT) 明顯較小。假設(shè) R12 << R10，根據(jù)方程式 51 計(jì)算簡(jiǎn)化的最大功率損耗：

方程式 51.

P_{R 10, M A X} = P_{R 11, M A X} = \frac{{(V D D - V_{F W (D 1)} - R 12 \times i_{B I A S (D E S A T)} - V_{C E (S A T)})}^{2}}{R 10} \times {P W M}_{D U T Y, M A X}

在表 3-1 的默認(rèn)設(shè)置下且典型 V_CE(SAT) 為 1.5V 時(shí)，即使在 1000% PWM 占空比下，P_R10(MAX) 和 P_R11(MAX) 的最大功率損耗約為 69.8mW。

根據(jù)方程式 52 和方程式 53 計(jì)算 R13 和 R14：

方程式 52.

R 13 = \frac{V R E F}{i_{R 13 R 14 (D E S A T)}}

方程式 53.

R 14 = \frac{V D D - (i_{B I A S (D E S A T)} + i_{R 13 R 14 (D E S A T)}) x R 10 \div 2}{i_{R 13 R 14 (D E S A T)}} - R 13

代入?yún)?shù)的值，我們可以得到的 R13 為 3k?，R14 為 15k?。

配置 VCE(DESAT) 閾值和 DESAT 偏置電流

配置 V_CE(DESAT) 閾值和 DESAT 偏置電流