ZHCY211 December 2024 AMC0106M05 , AMC0106M25 , AMC0136 , AMC0311D , AMC0311S , AMC0386 , AMC0386-Q1 , AMC1100 , AMC1106M05 , AMC1200 , AMC1200-Q1 , AMC1202 , AMC1203 , AMC1204 , AMC1211-Q1 , AMC1300 , AMC1300B-Q1 , AMC1301 , AMC1301-Q1 , AMC1302-Q1 , AMC1303M2510 , AMC1304L25 , AMC1304M25 , AMC1305M25 , AMC1305M25-Q1 , AMC1306M05 , AMC1306M25 , AMC1311 , AMC1311-Q1 , AMC131M03 , AMC1336 , AMC1336-Q1 , AMC1350 , AMC1350-Q1 , AMC23C12 , AMC3301 , AMC3330 , AMC3330-Q1
圖 121 顯示了使用 15V 單極電源來驅(qū)動 IGBT 的設計原理圖。通過一些微小的更改,此設計可以適用于功率 MOSFET 驅(qū)動或雙極電源應用的 12V 電源設計。有關更多詳細信息,請參閱參考設計 TIDA-00448。
電阻器 R9 至 R14 和高壓二極管 D1 用于檢測導通期間 IGBT 的實際 VCE,并根據(jù)隔離式比較器 AMC23C11 的基準電壓 VREF 對其進行調(diào)整。R10 和 R11 并聯(lián)來分散功率損耗。
與 R14 并聯(lián)的電容器 C14 會設置消隱時間,以避免 IGBT 導通期間出現(xiàn)誤觸發(fā)。添加了 5.1V 齊納二極管 D2 選項,用于抑制可能因 IGBT 開關而引起的高壓尖峰。請注意,D2 的內(nèi)部電容將與 C14 并聯(lián),并影響消隱時間。在我們的測試中,我們沒有組裝此 D2。建議使用具有低內(nèi)部電容的快速開關二極管 D1,以避免誤觸發(fā) DESAT 并盡可能縮短所需的消隱時間。
低壓側使用 3.3V 電源來直接連接 C2000TM 和 Sitara MCU 等常用 MCU 的 I/O 電平。在 LATCH 未激活的情況下,R6 和 C11 為比較器的輸出設置抗尖峰脈沖延遲(默認值為 0.2μs)。