ZHCSN01C December 2022 – February 2025 BQ25628 , BQ25629
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
REGN LDO 通電后,適配器已被鑒定為良好源,且 AUTO_INDET_EN 位 = 1(默認(rèn)為 POR),BQ25629 通過(guò) D+/D– 線運(yùn)行輸入源檢測(cè),以檢測(cè) USB 電池充電規(guī)范 1.2 (BC1.2) 輸入源 (CDP/SDP/DCP) 和非標(biāo)準(zhǔn)適配器。每次插入 VBUS 時(shí),檢測(cè)算法都會(huì)自動(dòng)運(yùn)行,并根據(jù)表 8-2 更新 IINDPM。如果 AUTO_INDET_EN = 0,則檢測(cè)算法不運(yùn)行,IINDPM 保持不變。通過(guò)將 FORCE_INDET 設(shè)置為 1,主機(jī)可以強(qiáng)制檢測(cè)算法運(yùn)行和更新 IINDPM。
USB BC1.2 能夠識(shí)別標(biāo)準(zhǔn)下行端口 (SDP)、充電下行端口 (CDP) 和專(zhuān)用充電端口 (DCP)。當(dāng) 500ms 的數(shù)據(jù)接觸檢測(cè) (DCD) 計(jì)時(shí)器到期時(shí),將應(yīng)用非標(biāo)準(zhǔn)適配器檢測(cè)來(lái)設(shè)置輸入電流限值。
二次檢測(cè)用于區(qū)分兩種類(lèi)型的充電端口(CDP 和 DCP)。在大多數(shù)情況下,CDP 要求便攜式設(shè)備(如智能手機(jī)、平板電腦)在 CDP 插入后的 2.5 秒內(nèi)發(fā)回枚舉。否則,即使 D+/D– 檢測(cè)指示 CDP,端口也會(huì)恢復(fù)為 SDP。
輸入源類(lèi)型檢測(cè)完成后,以下寄存器將發(fā)生更改:
檢測(cè)完成后,主機(jī)可以對(duì) IINDPM 寄存器進(jìn)行覆寫(xiě)操作,以便在需要時(shí)更改輸入電流限值。
如果檢測(cè)到 DCP (VBUS_STAT = 011),并且 EN_DCP_BIAS 設(shè)置為 1,則 BQ25629 會(huì)在 D+ 上打開(kāi) VD+D-_0p6V_SRC。在 VBUS_STAT = 011 時(shí)將 EN_DCP_BIAS 設(shè)置為 0 可禁用 D+ 引腳上的 VD+D-_0p6V_SRC,在 VBUS_STAT = 011 時(shí)將 EN_DCP_BIAS 設(shè)置為 1 可啟用 D+ 引腳上的 VD+D-_0p6V_SRC。EN_HIZ 位的優(yōu)先級(jí)高于 EN_DCP_BIAS。
非標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)用于根據(jù)適配器在 D+/D- 引腳上的獨(dú)特分壓器來(lái)區(qū)分特定于供應(yīng)商的適配器。比較器會(huì)檢測(cè)施加在每個(gè)引腳上的電壓,并根據(jù)表 8-1 確定輸入電流限值。
非標(biāo)準(zhǔn)適配器 | D+ 閾值 | D– 閾值 | 輸入電流限值 (A) |
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分壓器 1 | VD+ 位于 VD+D-_2p0 范圍內(nèi) | VD– 位于 VD+D-_2p8 范圍內(nèi) | 1 |
分壓器 2 | VD+ 位于 VD+D-_2p8 范圍內(nèi) | VD- 位于 VD+D-_2p0 范圍內(nèi) | 2.1 |
分壓器 3 | VD+ 位于 VD+D-_2p8 范圍內(nèi) | VD– 位于 VD+D-_2p8 范圍內(nèi) | 2.4 |
D+/D– 檢測(cè) | 輸入電流限值 (IINLIM) | VBUS_STAT |
---|---|---|
USB SDP (USB500) | 500mA | 0x1 |
USB CDP | 1.5A | 0x2 |
USB DCP | 1.5A | 0x3 |
分壓器 1 | 1A | 0x5 |
分壓器 2 | 2.1 A | 0x5 |
分壓器 3 | 2.4 A | 0x5 |
未知的 5V 適配器 | 500mA | 0x4 |