為了實(shí)現(xiàn)最低的開(kāi)關(guān)損耗，應(yīng)盡可能縮短開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升和下降時(shí)間。對(duì)于防止電場(chǎng)和磁場(chǎng)輻射以及高頻諧振問(wèn)題，采用合適的元件布局來(lái)盡可能簡(jiǎn)化高頻電流路徑環(huán)路（參閱圖 11-1）非常重要。請(qǐng)仔細(xì)按照以下特定順序來(lái)實(shí)現(xiàn)正確的布局。
- 為了在正向/充電模式期間實(shí)現(xiàn)最低的開(kāi)關(guān)噪聲，應(yīng)先后將去耦電容器 CPMID1 和大容量電容器 CPMID2 正極端子放置在盡可能靠近 PMID 引腳的位置。使用最短的銅線連接或與 IC 位于同一層的 GND 平面，將電容器接地端子靠近 GND 引腳放置。請(qǐng)參閱圖 11-2。
- 為了在反向/OTG 模式期間實(shí)現(xiàn)最低的開(kāi)關(guān)噪聲，應(yīng)將 CSYS1 和 CSYS2 輸出電容器的正極端子靠近 SYS 引腳放置。電容器的接地端子必須經(jīng)過(guò)多個(gè)過(guò)孔向下到達(dá)一個(gè)全接地內(nèi)部層，而這個(gè)內(nèi)部層通過(guò) IC 下方的多個(gè)過(guò)孔返回到 IC GND 引腳。請(qǐng)參閱圖 11-2。
- 由于 REGN 為內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)器供電，因此應(yīng)將 CREGN 電容器正極端子靠近 REGN 引腳放置以最大限度降低開(kāi)關(guān)噪聲。電容器的接地端子必須經(jīng)過(guò)多個(gè)過(guò)孔向下到達(dá)一個(gè)全接地內(nèi)部層，而這個(gè)內(nèi)部層通過(guò) IC 下方的多個(gè)過(guò)孔返回到 IC GND 引腳。請(qǐng)參閱圖 11-2。
- 將 CVBUS 和 CBAT 電容器正極端子盡可能靠近 VBUS 和 BAT 引腳放置。電容器的接地端子必須經(jīng)過(guò)多個(gè)過(guò)孔向下到達(dá)一個(gè)全接地內(nèi)部層，而這個(gè)內(nèi)部層通過(guò) IC 下方的多個(gè)過(guò)孔返回到 IC GND 引腳。請(qǐng)參閱圖 11-2。
- 將電感器輸入引腳放置在 SYS 引腳電容器的正極端子附近。由于 PMID 電容器的放置要求，電感器的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)端子必須通過(guò)多個(gè)過(guò)孔向下到達(dá)另一個(gè)內(nèi)部層，而這個(gè)內(nèi)部層上的寬布線通過(guò)多個(gè)過(guò)孔返回到 SW 引腳。請(qǐng)參閱圖 11-3。使用多個(gè)過(guò)孔可確保過(guò)孔的額外電阻可忽略不計(jì)（與電感器的直流電阻相比），因此不會(huì)影響效率。與電感器的電感相比，過(guò)孔額外的串聯(lián)電感可以忽略不計(jì)。
- 將 BTST 電容器放置在 IC 的另一側(cè)，以使用通孔連接到 BTST 引腳和 SW 節(jié)點(diǎn)。請(qǐng)參閱圖 11-4。
- 如果將非功率相關(guān)電阻器和電容器放置在遠(yuǎn)離功率元件布線和平面的位置，則不需要單獨(dú)的模擬 GND 平面。
- 確保 I2C SDA 和 SCL 線路的布線遠(yuǎn)離 SW 節(jié)點(diǎn)。
此外，BQ25628 的 PCB 封裝和阻焊層應(yīng)覆蓋每個(gè)引腳的全部長(zhǎng)度，這一點(diǎn)很重要。與其他引腳相比，GND、SW、PMID、SYS 和 BAT 引腳在封裝中延伸更深入。使用這些引腳的全部長(zhǎng)度可降低寄生電阻并提高從封裝到電路板中的導(dǎo)熱性。