ZHCSN01C December 2022 – February 2025 BQ25628 , BQ25629
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 說明（續(xù)）
- 5 器件比較
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細說明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說明
- 8.3.1 上電復(fù)位 (POR)
- 8.3.2 通過電池實現(xiàn)器件上電
- 8.3.3 通過輸入源實現(xiàn)器件上電
- 8.3.4 電源路徑管理
- 8.3.5 電池充電管理
- 8.3.6 USB On-The-Go (OTG)
- 8.3.7 用于監(jiān)測的集成 12 位 ADC
- 8.3.8 狀態(tài)輸出（STAT、INT）
- 8.3.9 BATFET 控制
- 8.3.10 保護功能
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 編程
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實施
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13修訂歷史記錄
- 14機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RYK|18
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
9.2.2.2 輸入電容器
在設(shè)計輸入電容時應(yīng)確保能夠提供足夠的額定紋波電流以吸收輸入開關(guān)紋波電流。當占空比為 0.5 時，最壞情況下的 RMS 紋波電流是充電電流的一半。如果轉(zhuǎn)換器不以 50% 的占空比運行，則最壞情況下的電容器 RMS 電流 ICin 發(fā)生在占空比最接近 50% 的位置，并可使用方程式 6 估算得出。
方程式 6. 
X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷電容器是輸入去耦電容器的首選，應(yīng)盡可能靠近高側(cè) MOSFET 的漏極 (PMID) 和低側(cè) MOSFET 的源極 (GND) 放置。電容器的額定電壓必須高于正常輸入電壓電平。對于 15V 輸入電壓，首選額定電壓為 25V 或更高的電容器。一般充電電流為 2.0A 時，建議使用 10μF 的陶瓷電容器。