ZHCSN01C December 2022 – February 2025 BQ25628 , BQ25629
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
為了盡可能減小電池漏電流，主機(jī)可以通過(guò)將寄存器位 BATFET_CTRL 設(shè)置為 01 來(lái)關(guān)閉 BQ25628 和 BQ25629。在此模式下，BATFET 關(guān)閉以防止電池為系統(tǒng)供電，I2C 禁用，充電器完全關(guān)斷。BQ25628 和 BQ25629 只能通過(guò)插入適配器來(lái)喚醒。插入適配器后，BQ25628 和 BQ25629 將以其 POR 默認(rèn)值中的所有寄存器設(shè)置重新啟動(dòng)。
主機(jī)將 BATFET_CTRL 設(shè)置為 01 后，BATFET 在等待 25ms 或 12.5s 后關(guān)閉，如 BATFET_DLY 寄存器位所配置。只有當(dāng) VVBUS < VVBUS_UVLO 時(shí)才能進(jìn)入關(guān)斷模式，而不管 BATFET_CTRL_WVBUS 設(shè)置怎樣，它對(duì)關(guān)斷模式的進(jìn)入沒(méi)有影響。如果主機(jī)在 VVBUS > VVBUS_UVLOZ 的情況下寫(xiě)入 BATFET_CTRL = 01，則將忽略請(qǐng)求并將 BATFET_CTRL 位設(shè)置回 00。
如果主機(jī)在升壓 OTG 或旁路 OTG 處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí)將 BATFET_CTRL 寫(xiě)入 01，則 BQ25628 和 BQ25629 首先通過(guò)設(shè)置 EN_OTG = 0 退出升壓 OTG 通過(guò)設(shè)置 EN_OTG = EN_BYPASS_OTG = 0 退出旁路 OTG，然后進(jìn)入關(guān)斷模式。
QON 在關(guān)斷模式下無(wú)效。在關(guān)斷期間，QON 引腳上的內(nèi)部上拉禁用，以防止引腳產(chǎn)生漏電流。