ZHCSN01C December 2022 – February 2025 BQ25628 , BQ25629
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 說(shuō)明（續(xù)）
- 5 器件比較
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細(xì)說(shuō)明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說(shuō)明
- 8.3.1 上電復(fù)位 (POR)
- 8.3.2 通過(guò)電池實(shí)現(xiàn)器件上電
- 8.3.3 通過(guò)輸入源實(shí)現(xiàn)器件上電
- 8.3.4 電源路徑管理
- 8.3.5 電池充電管理
- 8.3.6 USB On-The-Go (OTG)
- 8.3.7 用于監(jiān)測(cè)的集成 12 位 ADC
- 8.3.8 狀態(tài)輸出（STAT、INT）
- 8.3.9 BATFET 控制
- 8.3.10 保護(hù)功能
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 編程
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13修訂歷史記錄
- 14機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RYK|18
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6 引腳配置和功能
圖 6-1 BQ25628 引腳排列，18 引腳 WQFN頂視圖
圖 6-2 BQ25629 引腳排列，18 引腳 WQFN頂視圖表 6-1 引腳功能
| 名稱 | 編號(hào) | 類型(1) | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|---|
| BQ25628 | BQ25629 | |||
| BTST | 1 | P | 高側(cè)開(kāi)關(guān) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 – 在 SW 和 BTST 之間連接一個(gè) 10V 或更高額定電壓的 47nF 陶瓷電容器，作為驅(qū)動(dòng)高側(cè)開(kāi)關(guān) MOSFET (Q2) 的自舉電容器。 | |
| REGN | 2 | P | 充電器內(nèi)部線性穩(wěn)壓器輸出 – REGN 在內(nèi)部連接到自舉二極管的陽(yáng)極。在 REGN 與電源接地端之間連接一個(gè)額定電壓為 10V 或更高的 4.7μF 陶瓷電容器。該電容器應(yīng)靠近 IC 放置。REGN LDO 輸出用于內(nèi)部 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電壓，以及偏置 BQ25629 中的外部 TS 引腳熱敏電阻。 | |
| PMID_GD | 3 | DO | 開(kāi)漏高電平有效 PMID 正常狀態(tài)指示器 – 通過(guò) 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌 REGN。高電平表示 PMID 輸出電壓正常。當(dāng)升壓模式輸出電壓過(guò)高或輸出電流過(guò)大時(shí)，該信號(hào)可用于驅(qū)動(dòng)外部 PMOS FET 以斷開(kāi)充電負(fù)載下的 PMID。 | |
| ILIM | D- | 4 | AIO | 輸入電流限制設(shè)置輸入引腳 – ILIM 引腳將輸入電流限制設(shè)置為 IINREG = KILIM / RILIM，其中 RILIM 連接在 ILIM 引腳到 GND 之間。輸入電流被限制在 ILIM 引腳和 IINDPM 寄存器位設(shè)置的兩個(gè)值中的較低值。ILIM 引腳還可用于監(jiān)測(cè)輸入電流。輸入電流與 ILIM 引腳上的電壓成正比，可通過(guò)以下公式計(jì)算得出：IIN = (KILIM x VILIM) / (RILIM x 0.8)。當(dāng) EN_EXTILIM 位設(shè)置為 0 時(shí)，ILIM 引腳功能會(huì)被禁用。 |
| USB 數(shù)據(jù)線對(duì)的負(fù)線 – 基于 D+/D- 的 USB 主機(jī)/充電端口檢測(cè)。該檢測(cè)包括 BC1.2 中的數(shù)據(jù)接觸檢測(cè) (DCD)、初級(jí)檢測(cè)和次級(jí)檢測(cè)。 | ||||
| TS_BIAS | D+ | 5 | P | TS 電阻分壓器的偏置 – 為 TS 電阻分壓器提供偏置電壓。 |
| AIO | USB 數(shù)據(jù)線對(duì)的正線 – 基于 D+/D- 的 USB 主機(jī)/充電端口檢測(cè)。該檢測(cè)包括 BC1.2 中的數(shù)據(jù)接觸檢測(cè) (DCD)、初級(jí)檢測(cè)和次級(jí)檢測(cè)。 | |||
| TS | 6 | AI | 溫度鑒定電壓輸入 – 連接負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻。使用從 TS 引腳偏置基準(zhǔn)（BQ25629 中的 REGN、BQ25628 中的 TS_BIAS）先后連接到 TS 和 GND 的電阻分壓器對(duì)溫度窗口進(jìn)行編程。當(dāng) TS 引腳電壓超出范圍時(shí)，充電暫停。建議使用 103AT-2 10kΩ 熱敏電阻。 | |
| QON | 7 | DI | BATFET 使能或系統(tǒng)電源復(fù)位控制輸入 – 如果充電器處于運(yùn)輸模式，則該引腳上具有 tSM_EXIT 持續(xù)時(shí)間的邏輯低電平將強(qiáng)制器件退出運(yùn)輸模式。如果充電器未處于運(yùn)輸模式，則當(dāng) VVBUS < VVBUS_UVLO 或 BATFET_CTRL_WVBUS = 1 時(shí)，該引腳上具有 tQON_RST 持續(xù)時(shí)間的邏輯低電平將啟動(dòng)完全系統(tǒng)電源復(fù)位。QON 在關(guān)斷模式下無(wú)效。該引腳有一個(gè)內(nèi)部上拉電阻器用于保持默認(rèn)的高電平邏輯。 | |
| BAT | 8 | P | 電池充電電源連接 – 連接到電池包的正極端子。內(nèi)部 BATFET 連接在 SYS 和 BAT 之間。 | |
| SYS | 9 | P | 連接到系統(tǒng)的充電器輸出電壓 – 連接到系統(tǒng)的降壓轉(zhuǎn)換器輸出連接點(diǎn)。內(nèi)部 BATFET 連接在 SYS 和 BAT 之間。 | |
| STAT | 10 | DO | 開(kāi)漏充電狀態(tài)輸出 – 表示各種充電器操作。通過(guò) 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。低電平表示正在充電。高電平表示充電完成或充電被禁用。當(dāng)發(fā)生任何故障情況時(shí)，STAT 引腳以 1Hz 的頻率閃爍。設(shè)置 DIS_STAT = 1 會(huì)禁用 STAT 引腳功能，從而導(dǎo)致該引腳被拉至高電平。如果未使用，則保持懸空。 | |
| INT | 11 | DO | 開(kāi)漏中斷輸出– 通過(guò) 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。INT 引腳向主機(jī)發(fā)送一個(gè)低電平有效的 256μs 脈沖以報(bào)告充電器器件狀態(tài)和故障。 | |
| SDA | 12 | DIO | I2C 接口數(shù)據(jù) – 通過(guò) 10kΩ 電阻器將 SDA 連接到邏輯軌。 | |
| SCL | 13 | DI | I2C 接口時(shí)鐘 – 通過(guò) 10kΩ 電阻器將 SCL 連接到邏輯軌。 | |
| CE | 14 | DI | 低電平有效充電使能引腳 – 當(dāng) EN_CHG 位為 1 且 CE 引腳為低電平時(shí)，會(huì)啟用電池充電。必須將 CE 引腳拉至高電平或低電平，不要保持懸空。 | |
| GND | 15 | P | 接地回路 | |
| SW | 16 | P | 連接到輸出電感器的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) – SW 在內(nèi)部連接到 N 溝道 HSFET 的源極和 N 溝道 LSFET 的漏極。在 SW 和 BTST 之間連接一個(gè) 47nF 自舉電容器。 | |
| PMID | 17 | P | HSFET 漏極連接 – PMID 在內(nèi)部連接到反向阻斷 MOSFET (RBFET) 的漏極和 HSFET 的漏極。 | |
| VBUS | 18 | P | 充電器輸入電壓 – 內(nèi)部 N 溝道反向阻斷 MOSFET (RBFET) 連接在 VBUS 和 PMID 之間，確保 VBUS 位于源極上。 | |
(1) AI = 模擬輸入，AO = 模擬輸出，AIO = 模擬輸入/輸出，DI = 數(shù)字輸入，DO = 數(shù)字輸出，DIO = 數(shù)字輸入/輸出，P = 電源