ZHCSN01C December 2022 – February 2025 BQ25628 , BQ25629
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 說(shuō)明（續(xù)）
- 5 器件比較
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細(xì)說(shuō)明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說(shuō)明
- 8.3.1 上電復(fù)位 (POR)
- 8.3.2 通過(guò)電池實(shí)現(xiàn)器件上電
- 8.3.3 通過(guò)輸入源實(shí)現(xiàn)器件上電
- 8.3.4 電源路徑管理
- 8.3.5 電池充電管理
- 8.3.6 USB On-The-Go (OTG)
- 8.3.7 用于監(jiān)測(cè)的集成 12 位 ADC
- 8.3.8 狀態(tài)輸出（STAT、INT）
- 8.3.9 BATFET 控制
- 8.3.10 保護(hù)功能
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 編程
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13修訂歷史記錄
- 14機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RYK|18
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.3.5.4.2 TS 引腳熱敏電阻配置
典型的 TS 電阻器網(wǎng)絡(luò)如下圖所示。
圖 8-4 TS 電阻器網(wǎng)絡(luò)RT1 和 RT2 的值取決于熱敏電阻在 0oC 和 60oC 時(shí)的阻值（RTH0degC 和 RTH60degC）以及相應(yīng)的電壓閾值 VTS_0degC 和 VTS_60degC（以 REGN 的百分比表示，值介于 0 和 1 之間）。為了實(shí)現(xiàn)更精確的熱敏電阻曲線(xiàn)擬合，請(qǐng)使用 VTS_COLD 在 0oC 時(shí)的上升閾值以及 VTS_HOT 在 60oC 時(shí)的下降閾值，不考慮 TS_TH1_TH2_TH3 和 TS_TH4_TH5_TH6 的實(shí)際寄存器設(shè)置。
假設(shè)電池包上有一個(gè) 103AT NTC 熱敏電阻，RT1 的計(jì)算結(jié)果是 5.23kΩ，RT2 的計(jì)算結(jié)果是 30.1kΩ。
如果熱敏電阻從 TS_BIAS 偏置，則應(yīng)當(dāng)對(duì)照 ITS_BIAS_FAULT 來(lái)檢查最大電流。在熱敏電阻處于 0Ω 阻抗的最壞情況下（非常熱），偏置電流為：
當(dāng) RT1 為 5.30kΩ 時(shí)，最大 IBIAS 為 0.94mA，遠(yuǎn)低于最小 ITS_BIAS_FAULT 閾值。103AT NTC 熱敏電阻是建議的熱敏電阻，具有 10kΩ 標(biāo)稱(chēng)阻抗。使用阻抗較低的熱敏電阻將更改 R1 的值，并可能產(chǎn)生超過(guò) TS_BIAS 引腳故障閾值的偏置電流。TS_STAT[2:0] 設(shè)置為 111。