13 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (February 2024)to RevisionC (February 2025)
- 刪除了 1.5A 和 3A IBAT_PK 設(shè)置Go
- 更改了 TADC_CONV 典型值Go
- 更正了 IBUS_ADC 的說明Go
- 從節(jié) 8.3.5.3中刪除了“轉(zhuǎn)換器處于恒定電壓調(diào)節(jié)狀態(tài)”Go
- 更改了節(jié) 8.3.5.4.2 中 RT1 和 RT2 的建議值Go
- 更改了節(jié) 8.3.5.4.3 中 RT1 和 RT2 的建議值Go
- 在節(jié) 8.3.7中更新了中 HIZ 模式下 ADC 行為的說明Go
- 在節(jié) 8.3.9.1中更新了對 BATFET_DLY 時序的引用Go
- 已在節(jié) 8.3.10.2.1中將“VBUS_OVP_STAT”更改為“VBUS_FAULT_STAT”Go
- 在節(jié) 8.5.1中更新了與 I2C 通信相關(guān)的等待時間Go
- 刪除了寄存器映射中的 IBAT_PK 1.5A 和 3A 設(shè)置Go
- 在寄存器映射中添加了“注釋”列Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (January 2024)to RevisionB (February 2024)
- 更改了 TTOP_OFF 典型值和最大限值Go
- 更改了 TSAFETY_TRKCHG 典型值和最大限值Go
- 更改了 TSAFETY_PRECHG 典型值和最大限值Go
- 更改了 TSAFETY 典型值和最大限值Go
- 更改了 TBATFET_DLY 典型值Go
- 更改了 TSM_EXIT 典型值和最大限值Go
- 更改了 TQON_RST 典型值和最大限值Go
- 更改了 TBATFET_RST 典型值Go
- 更改了 TLP_WDT 典型值Go
- 更改了 TWDT 典型值Go
- 在節(jié) 8.5.1中添加了快速模式和快速+ 模式的 I2C 時序要求Go
- 更改了 Charge_Control_0 寄存器說明中的 TOPOFF_TMR 值、Charge_Timer_Control 寄存器說明中的 PRECHG_TMR 和 CHG_TMR 值，以及 Charger_Control_1 寄存器說明中的 WATCHDOG 值Go
- 更新了 IBAT_ADC 寄存器說明中 IBAT_ADC 的行為Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (December 2022)to RevisionA (January 2024)
- 向“充電終止范圍”特性添加了“5mA 至 310mA，步長為 5mA”Go
- 添加了 IEC 62368-1 CB 認證Go
- 更改了 BQ25628/629 簡化版應(yīng)用Go
- 更改了“說明（續(xù)）”文本Go
- 將節(jié) 5 中 BQ25618 的 D+/D- USB 檢測從“是”更改為“否”Go
- 將 QON 引腳說明中的 tRST 更改為 tQON_RST
Go
- 為 VPOORSRC 添加了最大限值Go
- 更新了 VTS_COLD、VTS_COLDZ、VTS_COOL、VTS_COOLZ、VTS_WARM、VTS_WARMZ、VTS_HOT 和 VTS_HOTZ更新了 VBUS_ADC、VPMID_ADC 和 TDIE_ADC刪除了 tPMID_OVP_PROP 和 tPMID_OVP_FALL
Go
- 將 IBAT_ADC LSB 從 2mA 更改為 4mAGo
- 刪除了 tVBUS_OVP_PROP、TPOORSRC_RETRY、tPOORSRC_RESTART、tVBUS_PD、tTERM_DGL、tRECHG_DGL 的典型規(guī)格Go
- 闡明了 TTOP_OFF 規(guī)格的寄存器條件Go
- 闡明了 JEITA 充電速率調(diào)節(jié)的行為Go
- 從節(jié) 8.3.7刪除了當(dāng)充電器進入高阻態(tài)模式時，將禁用 ADC
Go
- 添加了節(jié) 8.3.8.1
Go
- 添加了節(jié) 8.3.10
Go
- 將 REG0x2C_VBUS_ADC 寄存器字段說明中的 VBUS_ADC 從 19850mV 和 1388h 更改為 18000mV 和 11B6hGo
- 將 REG0x2E_VPMID_ADC 寄存器字段說明中的 VPMID_ADC 從 19850mV 和 1388h 更改為 18000mV 和 11B6hGo
- 將 REG0x36_TDIE_ADC 寄存器字段說明中的 TDIE_ADC 從 150°C 和 12Ch 更改為 140°C 和 118hGo
- 將 Q1_FULLON、BATFET_CTRL_WVBUS 位訪問類型從 R 更改為 RW，將 TDIE_ADC 位訪問類型從 RW 更改為 RGo
- 將 REG0x02_Charge_Current_Limit 寄存器的寄存器字段和說明中的位 11 更改為“保留”，并將“ICHG 復(fù)位”從 X 更改為 8hGo
- 將 REG0x10_Pre-charge_Control 寄存器的寄存器字段和說明中的位 8 更改為“保留”Go
- 將 REG0x12_Termination_Control 寄存器的寄存器字段和說明中的位 8 更改為“保留”Go
- 更改了圖 9-3
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- 更改了圖 9-4
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- 更改了圖 9-11
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