ZHCAD93B December 2020 – June 2025 BQ79600-Q1 , BQ79612-Q1 , BQ79614-Q1 , BQ79616-Q1 , BQ79652-Q1 , BQ79654-Q1 , BQ79656-Q1
將以下引腳的旁路電容器(尤其是 REFHP 電容器)盡可能靠近器件引腳放置,以確保獲得良好性能。為了幫助提高降額性能和發(fā)射性能,TI 建議為每個旁路 LDO 電容器并聯(lián)一個容值范圍為 10% 至 22% 的小型電容器。例如,在 CVDD 上,為幫助減少發(fā)射,TI 建議將 22nF 和 100nF 電容器與 4.7μF 去耦電容器并聯(lián)。為了獲得更好的效果,這些電容器需要放置在非??拷季种?IC 引腳的位置。