ZHCSR04 September 2023 AMC130M02
PRODUCTION DATA
AMC130M02 由標稱值為 3.3V(或 5V)±10% 的低側(cè)電源 (DVDD) 供電。在盡可能靠近 DVDD 引腳的位置放置一個 1nF 的低 ESR 去耦電容器(圖 9-8 中的 C15),然后放置一個 1μF 電容器 (C16) 以對該電源路徑進行濾波。
低側(cè)電源 (DVDD) 是運行 AMC130M02 所需的唯一外部電源。所有內(nèi)部電壓電源和次級(高側(cè))電源均由集成直流/直流轉(zhuǎn)換器和高側(cè) LDO 生成,例如輸出引腳 DCDC_OUT 和 HLDO_OUT 上的電源電壓。
直流/直流轉(zhuǎn)換器的初級側(cè)通過靠近器件且位于 DCDC_CAP 和 DGND 引腳之間的低 ESR 100nF 電容器 (C17) 去耦。除了盡可能靠近器件放置并連接在 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引腳之間的低 ESR、1nF 電容器 (C1) 之外,使用 1μF 電容器 (C6) 對高側(cè)去耦。
為改善 EMI 性能,分別在 DCDC_OUT 和 HLDO_IN 引腳之間 (F1) 與 DCDC_HGND 和 HGND 引腳之間 (F2) 放置一個鐵氧體磁珠。
對于高側(cè) LDO,使用 1nF 的低 ESR 電容器 (C11),盡可能靠近 AMC130M02 放置,然后在 HLDO_OUT 和 HGND 引腳之間連接一個 100nF 去耦電容器 (C13)。
高側(cè)接地基準 (HGND) 由連接到器件負輸入端 (AIN0N) 的分流電阻器端子提供。為獲得更高直流精度,請使用單獨的引線進行此連接,而不是直接在器件輸入端將 HGND 短接至 AIN0N。
在應(yīng)用中出現(xiàn)的適用直流偏置條件下,電容器必須能夠提供足夠的有效電容。在實際條件下,通常僅使用 MLCC 標稱電容的一小部分,因此在選擇這些電容器時,必須考慮到這個因素。此問題在低厚度電容器中尤為嚴重,在該類電容器中,電容器越薄,電介質(zhì)電場強度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關(guān)系曲線,這大大簡化了元件選型過程。
表 9-3 列出了適用于 AMC130M02 的元件。此列表并不是詳盡無遺??赡艽嬖谕瑯雍线m(或更好)的其他元件,但這些列出的元件已在 AMC130M02 的開發(fā)過程中得到驗證。
COMP | 說明 | 器件型號 | 制造商 | 大小(EIA,L x W) |
---|---|---|---|---|
DVDD | ||||
C15 | 1nF ± 10%,X7R,50V | 12065C102KAT2A | AVX | 1206,3.2mm x 1.6mm |
C16 | 1μF ± 10%,X7R,25V | 12063C105KAT2A | AVX | 1206,3.2mm x 1.6mm |
直流/直流轉(zhuǎn)換器 | ||||
C17 | 100nF ± 10%,X7R,50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet(基美) | 0603,1.6mm x 0.8mm |
C1 | 1nF ± 10%,X7R,50V | C0603C102K5RACTU | Kemet(基美) | 0603,1.6mm x 0.8mm |
C6 | 1μF ± 10%,X7R,25V | CGA3E1X7R1E105K080AC | TDK | 0603,1.6mm x 0.8mm |
F1、F2 | 鐵氧體磁珠 | 74269244182 | Wurth Elektronik(伍爾特電子) | 0402,1.0mm x 0.5mm |
HLDO | ||||
C24 | 100nF ± 10%,X7R,50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet(基美) | 0603,1.6mm x 0.8mm |
C10 | 1nF ± 10%,X7R,50V | 12065C102KAT2A | AVX | 1206,3.2mm x 1.6mm |
C13 | 100nF ± 5%,NP0,50V | C3216NP01H104J160AA | TDK | 1206,3.2mm x 1.6mm |
C11 | 1nF ± 10%,X7R,50V | 12065C102KAT2A | AVX | 1206,3.2mm x 1.6mm |