基于 P 溝道 MOSFET 的反極性保護(hù)是工業(yè)和汽車應(yīng)用中非常常用的方案，用于實(shí)現(xiàn)低插入損耗保護(hù)解決方案。通過將 LM74500-Q1 與外部 N 溝道 MOSFET 結(jié)合使用來替代基于 P 溝道 MOSFET 的解決方案，可以實(shí)現(xiàn)低損耗反極性保護(hù)解決方案。與基于 P 溝道 MOSFET 的解決方案相比，基于 LM74500-Q1 的反極性保護(hù)解決方案提供更好的冷啟動(dòng)性能（以低輸入電壓運(yùn)行）和更小的解決方案尺寸。圖 5-2 比較了 LM74500-Q1 + N 溝道 MOSFET 與基于傳統(tǒng) P 溝道 MOSFET 的反極性保護(hù)解決方案的性能優(yōu)勢(shì)。

如圖 5-2 所示，對(duì)于給定的功率水平，LM74500-Q1 + N 溝道 MOSFET 解決方案的尺寸可以只有具有類似額定功率的 P 溝道 MOSFET 解決方案的三分之一。此外，P 溝道 MOSFET 通過將其柵極引腳拉低的簡(jiǎn)單方法來實(shí)現(xiàn)自偏置，因此與 LM74500-Q1 相比，P 溝道 MOSFET 表現(xiàn)出較差的冷啟動(dòng)性能（以低輸入電壓運(yùn)行）。在電池電壓低于 4V 的嚴(yán)苛冷啟動(dòng)期間，P 溝道 MOSFET 串聯(lián)電阻急劇增加，如圖 5-2 所示。這會(huì)導(dǎo)致 P 溝道 MOSFET 上的壓降更高。此外，由于柵源電壓閾值 (V_T) 較高，有時(shí)關(guān)斷 P 溝道 MOSFET 會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)位。另一方面，LM74500-Q1 具有出色的嚴(yán)苛冷啟動(dòng)性能。LM74500-Q1 使外部 FET 保持完全增強(qiáng)，即使在嚴(yán)苛冷啟動(dòng)運(yùn)行期間輸入電壓降至 3.2V 也是如此。