ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
6.2 低正向傳導(dǎo)損耗
肖特基二極管的正向壓降會增加正向傳導(dǎo)功率損耗，需要使用散熱器進(jìn)行熱管理，并且需要更多 PCB 空間，從而導(dǎo)致成本增加。理想二極管控制器使用外部 MOSFET 將正向電壓降至 20 mV 或更低（具體取決于控制方案）。線性調(diào)節(jié)控制方案在大部分工作電流范圍內(nèi)保持 20 mV 正向電壓。遲滯開/關(guān)控制可完全增強(qiáng) MOSFET 以降低正向電壓，且正向壓降完全取決于所使用的 MOSFET。
由理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)的 MOSFET DMT6007LFG 的正向電壓與肖特基二極管 STPS20M60S 的正向電壓進(jìn)行比較的情況如圖 6-3 所示。采用線性調(diào)節(jié)方案的理想二極管控制器在負(fù)載電流 = 20mV / RDS(MIN) 及以下時(shí)可將正向電壓調(diào)節(jié)到低至 20mV，而在負(fù)載電流高于 20mV / RDS(MIN) 時(shí)，正向電壓完全取決于 MOSFET 的 RRD(ON)。在圖 6-3 中，負(fù)載電流不高于 5.7A 時(shí)，MOSFET 的正向電壓調(diào)節(jié)至 20mV，而在超過 5.7A 時(shí)，MOSFET 會得到完全增強(qiáng)，正向電壓隨著負(fù)載電流增加而升高。在 10A 負(fù)載電流下，正向壓降會下降到低至 35 mV，而使用肖特基二極管的情況下為 465 mV。LM74722-Q1 理想二極管控制器可提供 13mV 的更低正向壓降，進(jìn)一步提高了電源效率。
圖 6-3 正向電壓與負(fù)載電流間的關(guān)系
圖 6-4 功率耗散與負(fù)載電流間的關(guān)系圖 6-4 顯示了肖特基二極管和理想二極管控制器之間的功率耗散比較情況。在 10A 負(fù)載電流下，DMT6005LPS-13 MOSFET 的功率耗散為 0.35W，而肖特基二極管 STPS20M60S 的功率耗散為 4.65W，因此使用理想二極管控制器和 MOSFET 時(shí)的節(jié)能可達(dá) 10 倍以上。