ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
8 采用理想二極管控制器的 ORing 電源
LM74700-Q1 與外部 N 溝道 MOSFET 組合在一起可用于 OR-ing 解決方案，如圖 8-1 所示。隨著外部 N 溝道 MOSFET 在正常工作期間導(dǎo)通，正向二極管壓降會減小。LM74700-Q1 可快速檢測到反向電流并迅速拉低 MOSFET 柵極，讓 MOSFET 的體二極管阻止反向電流。
圖 8-1 典型的 OR-ing 應(yīng)用有效的 OR-ing 解決方案需要以極快的速度限制反向電流的大小和持續(xù)時間。OR-ing 配置中的 LM74700-Q1 器件不斷檢測陽極和陰極引腳（分別是電源（VIN1、VIN2）和公共負載點的電壓電平）之間的電壓差。LM74700-Q1 的陽極和陰極引腳會監(jiān)測 MOSFET 的源漏電壓 VDS。只要 V(IN) – V(OUT) 降至 –11 mV 以下，快速比較器就會在 0.75 μs（典型值）內(nèi)通過快速下拉電阻將柵極驅(qū)動器關(guān)斷。一旦差分正向電壓 V(IN) – V(OUT) 超過 50 mV，該器件就會以 11 mA 的柵極充電電流將柵極導(dǎo)通。
| 時間（5 ms/格） |
| 時間（5ms/格） |
| 時間（5ms/格） |
| 時間（5ms/格） |
| 時間（5ms/格） |
| 時間（10ms/格） |
圖 8-2 至圖 8-5 顯示了兩個電源軌 VIN1 (12V) 和 VIN2 (15V) 之間的平滑切換。圖 8-6 和圖 8-7 說明了 VIN2 發(fā)生故障時的性能。控制 VIN2 電源軌的 LM74700-Q1 會快速關(guān)閉，從而確保輸出不間斷，并使 VIN1 免受 VIN2 故障的影響。
由于理想二極管控制器的低正向壓降，使用肖特基二極管時的功率耗散及其相關(guān)的熱管理問題將可忽略不計。MOSFET 在高溫下的漏電流不如肖特基二極管那樣高，并且使用 MOSFET 可降低反向漏電流損耗。因此，系統(tǒng)的整體效率和可靠性將提高。
使用理想二極管控制器時，不存在肖特基二極管正向電壓差異及其負溫度系數(shù)引起的負載共享問題。此外，正向壓降的線性調(diào)節(jié)可增強電源之間的負載共享。