ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
6.6.1 背對背 FET 驅動理想二極管控制器
LM7480-Q1 和 LM7472x-Q1 等理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而仿真具有電源路徑開/關控制、浪涌電流限制和過壓保護功能的理想二極管整流器。在負載突降等過壓故障期間斷開負載時，可以使用低壓下游組件，因此可實現(xiàn)密集型 ECU 設計，例如 ADAS 攝像頭、USB 集線器、激光雷達和 TCU。LM7480x-Q1 和 LM7472x-Q1 具有獨立的柵極控制功能，可實現(xiàn)理想二極管控制和開/關控制。
由車輛電池供電的汽車 ECU 設計需要能夠承受負載突降。在基于 12V 汽車電池的設計中，抑制的負載突降峰值規(guī)格為 35V。在不具備集中式負載突降抑制功能的系統(tǒng)設計中，根據(jù) ISO-16750-2 標準，未抑制負載突降導致的浪涌電壓在 12V 系統(tǒng)中不超過 101V，在基于 24V 電池的系統(tǒng)中不超過 202V。傳統(tǒng)解決方案使用多個高功率 TVS 堆疊（尺寸與 SMD 相同）在未抑制的負載突降期間鉗位到安全電平（低于下游絕對最大電壓），從而導致整體解決方案尺寸和前端保護電路 BoM 成本增加。
LM7480-Q1 控制器與采用共源極拓撲配置的外部 MOSFET（如下方圖 6-7 所示）一同提供無抑制負載突降保護。
圖 6-7 200V 無抑制負載突降保護應用電路