ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
6.5 快速負載瞬態(tài)響應
采用線性調(diào)節(jié)控制方案運行的理想二極管控制器根據(jù)負載電流來控制柵源電壓，使正向電壓保持在低位。輕載條件下的柵源電壓較低，并隨著負載電流的增加而增加。雖然線性調(diào)節(jié)方案有助于使直流反向電流為零，但在從輕載到重載的突然負載瞬變期間具有低柵源電壓會帶來不利影響。在較輕負載下，柵源電壓高于 MOSFET 的 Vth 且 RDS(ON) 高于標稱值，旨在滿足正向調(diào)節(jié)要求 RDS(ON)_LIGHT_LOAD = 20mV / ILIGHT_LOAD。當突然從輕負載轉(zhuǎn)變?yōu)檩^高負載時，MOSFET 的柵極需要快速從低電壓充電到高電壓，以滿足突然增加的負載需求。如果柵極沒有快速充電，輸出電壓在最壞情況下的壓降等于 IHEAVY_LOAD × RDS(ON)_LIGHT_LOAD，但不會超過 MOSFET 的體二極管壓降。在許多 ORing 應用中，輸出電壓的這種下降可能是不可接受的，因為這會減少下游電源的裕量。
TI 的理想二極管控制器 LM74700-Q1 在正向壓降超過 50 mV 時具有 11 mA 峰值源極電流。此特性有助于在負載快速瞬變期間為柵極快速充電，從而最大限度地減少電源壓降。圖 6-6 顯示了負載從 10 mA 輕載突變?yōu)?5A 時 LM74700-Q1 的負載瞬態(tài)響應?？刂破鲿焖俜磻⒖焖僭鰪?MOSFET 柵極，使輸出壓降降至 <50mV。
圖 6-6 LM74700-Q1 的快速負載瞬態(tài)響應