ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
7.3 動態(tài)反極性
在 ISO 7637-2 脈沖 1 規(guī)定的動態(tài)反極性條件下，使用 10Ω 發(fā)生器阻抗將低至 -150V 的負(fù)瞬態(tài)電壓施加在 12V 電池電源線路上并持續(xù) 2 ms，使用 50Ω 發(fā)生器阻抗將低至 -600V 的負(fù)瞬態(tài)電壓施加在 24V 電池電源線路上并持續(xù) 1 ms。圖 7-3 顯示了 LM74700-Q1 對輸入端施加的 ISO 7637-2 脈沖 1 的響應(yīng)。在施加測試脈沖之前，MOSFET 處于導(dǎo)通狀態(tài)并允許負(fù)載電流通過。在電池輸入端施加 ISO 7637-2 測試脈沖 1 后，負(fù)載電流開始快速反向并試圖將輸出電壓拉負(fù)。LM74700-Q1 會檢測到反向電流，并在 0.75 μs 內(nèi)關(guān)斷 MOSFET 以阻斷反向電流并防止輸出變?yōu)樨?fù)值。通常，理想二極管電路在此類瞬態(tài)期間為模塊的其余部分提供能量之后，會使用大容量保持電容器。LM74700-Q1 在 0.75 μs 內(nèi)快速關(guān)斷 MOSFET，以防止大容量保持電容器放電。請注意，需要使用輸入 TVS 對電壓進(jìn)行鉗位，防止電壓超過 LM74700-Q1 和 MOSFET 的絕對最大額定值。
圖 7-3 LM74700-Q1 對 ISO 7637-2 脈沖 1 的響應(yīng)