在線性調(diào)節(jié)控制中會(huì)根據(jù)負(fù)載電流來控制柵極電壓，從而對(duì) MOSFET 的正向電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)。實(shí)現(xiàn)線性調(diào)節(jié)的方法是控制柵極電壓，從而根據(jù)負(fù)載電流改變 MOSFET 的 R_DS(ON)。在標(biāo)稱負(fù)載電流下，保持柵源電壓高于 MOSFET 的 V_th 電壓；在較低負(fù)載電流下，保持柵源電壓接近于 MOSFET 的 V_th 電壓，且 R_DS(ON) 增大。在較高負(fù)載電流下，柵源電壓停留在接近于最大柵極驅(qū)動(dòng)電壓的水平，且運(yùn)行時(shí)的 R_DS(ON) 接近于可能的最低值。根據(jù)運(yùn)行功率要求選擇 MOSFET 有助于在大多數(shù)負(fù)載條件下使 MOSFET 保持在穩(wěn)壓狀態(tài)。正向電壓線性調(diào)節(jié)以及快速反向電流阻斷有助于確保流回輸入端的直流電流為零。此外，還有助于在輸入電源故障、輸入電源瞬變或輸入電源電壓下降期間盡可能降低峰值反向電流。

在遲滯開/關(guān)控制中，當(dāng)超過正向?qū)ū容^器閾值 V_{FWD_ON} 時(shí)，MOSFET 完全導(dǎo)通，當(dāng)達(dá)到反向比較器閾值 V_{REV_OFF} 時(shí)，MOSFET 關(guān)斷。當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，柵極得到完全增強(qiáng)，柵源電壓不受負(fù)載電流的控制。當(dāng)反向電流達(dá)到 V_{REV_OFF} / R_DS(ON) 時(shí)，MOSFET 關(guān)斷。請(qǐng)注意，如果反向電流小于 V_{REV_OFF} / R_DS(ON)，則 MOSFET 無法關(guān)斷。反向關(guān)斷閾值 V_{REV_OFF} 是固定的負(fù)值，或可編程并允許設(shè)置為較小的正值。在反向比較器閾值可編程并可設(shè)置為較小的正值的理想二極管控制器中，可以完全阻斷直流反向電流。此外，將反向比較器閾值設(shè)置為一個(gè)較小的正值，可能需要使正向負(fù)載電流 V_{REV_OFF} / R_DS(ON) 盡可能小才能導(dǎo)通 MOSFET。如果正向負(fù)載電流無法保持在最低，則 MOSFET 會(huì)持續(xù)導(dǎo)通/關(guān)斷，從而導(dǎo)致柵極電壓持續(xù)振蕩。

圖 6-1 中的典型應(yīng)用原理圖顯示了用于驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 MOSFET 的 LM74700-Q1 理想二極管控制器。MOSFET 的源極與輸入端相連，因此體二極管在關(guān)斷時(shí)會(huì)阻斷反向電流。電荷泵電容器連接在陽極和 VCAP 之間，可提供足夠的柵極驅(qū)動(dòng)電壓來導(dǎo)通 MOSFET。EN 引腳用于導(dǎo)通 MOSFET，在正常運(yùn)行期間提供陽極到陰極之間經(jīng)過調(diào)節(jié)的低正向壓降。下拉 EN 引腳會(huì)關(guān)斷 MOSFET，并且控制器會(huì)進(jìn)入低關(guān)斷電流模式。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時(shí)，負(fù)載仍然可以通過 MOSFET 的體二極管汲取功率。

本節(jié)使用圖 6-2 所示的功能方框圖來討論 LM74700-Q1 的主要性能特性。理想二極管控制器具有內(nèi)部電荷泵，可在正常工作期間充分驅(qū)動(dòng) MOSFET 柵極電平高于陽極，并在檢測(cè)到反向電流時(shí)開啟正向比較器并關(guān)閉反向電流比較器，以使 MOSFET 體二極管完全阻斷反向直流電流。